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ECF07N50	文件：300 bytes Page：1 Pages	MOSFET	E-CMOS 飞虹高科	E-CMOS
EMD07N50A	文件：196.47 Kbytes Page：6 Pages	N?륝hannel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor Product Summary: BVDSS 500V RDSON (MAX.) 1.3Ω ID 7A UIS, 100 Tested Pb‐Free Lead Plating 文件：196.47 Kbytes 页数：6 Pages	EXCELLIANCE 杰力科技	EXCELLIANCE
EMD07N50F	文件：171.08 Kbytes Page：5 Pages	N?륝hannel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor Product Summary: BVDSS 500V RDSON (MAX.) 1.3Ω ID 7A UIS, 100 Tested Pb‐Free Lead Plating 文件：171.08 Kbytes 页数：5 Pages	EXCELLIANCE 杰力科技	EXCELLIANCE
FMC07N50E	文件：514.809 Kbytes Page：5 Pages	N-CHANNEL SILICON POWER MOSFET 文件：514.809 Kbytes 页数：5 Pages	Fuji 富士通	Fuji

技术参数

Configuration：
Single
MOSFETTyEC：
N
V DS(V)：
500
V GS(V)：
±30
V th (V)：
3/4/5
R DS(ON)(mΩ) max. at V GS =10V：
700/850
Ciss(pF)：
1420
Coss (pF)：
95
Crss(pF)：
7
Qg (nC)=10V：
27
Qgs(nC)：
7.1
Qgd (nC)：
7.4
Rg W：
2.3
EAS mJ)：
25
I D(A) Tc=25 ℃：
7
I D(A) Tc=100 ℃：
4.4
EC(W)Tc=25 ℃：
37
ESDDiode：
X
Schokkty Diode：
X

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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