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DZT3150	文件：233.73 Kbytes Page：4 Pages	NPN SURFACE MOUNT TRANSISTOR Features • Epitaxial Planar Die Construction • Ideally Suited for Automated Assembly Processes • Ideal for Medium Power Switching or Amplification Applications • Lead Free By Design/RoHS Compliant (Note 1) • Green Device (Note 2) 文件：233.73 Kbytes 页数：4 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DZT3150	文件：351.9 Kbytes Page：4 Pages	NPN SURFACE MOUNT TRANSISTOR 文件：351.9 Kbytes 页数：4 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DZT3150	文件：300 bytes Page：1 Pages	NPN TRANSISTOR	Diodes 美台半导体	Diodes
DZT3150-13	文件：233.73 Kbytes Page：4 Pages	NPN SURFACE MOUNT TRANSISTOR Features • Epitaxial Planar Die Construction • Ideally Suited for Automated Assembly Processes • Ideal for Medium Power Switching or Amplification Applications • Lead Free By Design/RoHS Compliant (Note 1) • Green Device (Note 2) 文件：233.73 Kbytes 页数：4 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DZT3150_1	文件：351.9 Kbytes Page：4 Pages	NPN SURFACE MOUNT TRANSISTOR 文件：351.9 Kbytes 页数：4 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DZT3150_15	文件：351.9 Kbytes Page：4 Pages	NPN SURFACE MOUNT TRANSISTOR 文件：351.9 Kbytes 页数：4 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DZT3150-13	文件：351.9 Kbytes Page：4 Pages	NPN SURFACE MOUNT TRANSISTOR 文件：351.9 Kbytes 页数：4 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DZT3150-13	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-261-4，TO-261AA；包装：管件类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS NPN 25V 5A SOT223-3	DIODES 美台半导体	DIODES

技术参数

Compliance：
Standard
Polarity：
NPN
IC (A)：
5
PD (W)：
2
hFE (Min)：
250
hFE (@ IC) (A)：
0.5
hFE (Min 2)：
50
hFE (@ IC2) (A)：
5
VCE(sat) Max (mV)：
350
VCE(SAT) (@ IC/IB) (A/mA)：
3/150
VCE(sat) (Max.2) (mV)：
500
VCE(sat) (@ IC/IB2) (A/mA)：
4/200
fT (MHz)：
150
Packages：
SOT223

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多DZT3150供应商更新时间2026-1-22 11:32:00

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