DZT3150分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个规格书PDF中文资料
| 厂商型号 |
DZT3150 |
| 参数属性 | DZT3150 封装/外壳为TO-261-4，TO-261AA；包装为管件；类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个；产品描述：TRANS NPN 25V 5A SOT223-3 |
| 功能描述 | NPN SURFACE MOUNT TRANSISTOR |
| 封装外壳 | TO-261-4，TO-261AA |
| 文件大小 |
233.73 Kbytes |
| 页面数量 |
4 页 |
| 生产厂商 | DIODES |
| 中文名称 | 美台半导体 |
| 网址 | |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2026-9-29 22:59:00 |
| 人工找货 | DZT3150价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
DZT3150规格书详情
DZT3150属于分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个。由美台半导体制造生产的DZT3150晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个分立式双极结型晶体管 (BJT) 通常在音频、无线电及其他应用中用于构建模拟信号放大功能。作为大批量生产的第一批半导体器件之一，对于涉及高频开关和在大电流或高电压下工作的应用而言，它们的特性相比某些器件类型不占优势，但对于需要以极小的噪声和失真构建模拟信号的应用而言，它们仍然是首选技术。
特性 Features
• Epitaxial Planar Die Construction
• Ideally Suited for Automated Assembly Processes
• Ideal for Medium Power Switching or Amplification Applications
• Lead Free By Design/RoHS Compliant (Note 1)
• Green Device (Note 2)
产品属性
更多- 产品编号：
DZT3150-13
- 制造商：
Diodes Incorporated
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
- 包装：
管件
- 晶体管类型：
NPN
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
500mV @ 200mA，4A
- 电流 - 集电极截止（最大值）：
1µA（ICBO）
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
250 @ 500mA，2V
- 频率 - 跃迁：
150MHz
- 工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安装类型：
表面贴装型
- 封装/外壳：
TO-261-4，TO-261AA
- 供应商器件封装：
SOT-223-3
- 描述：
TRANS NPN 25V 5A SOT223-3
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
Diodes Incorporated |
25+ |
SOT-223-3 |
6843 |
样件支持,可原厂排单订货! |
询价 | ||
Diodes Incorporated |
25+ |
SOT-223-3 |
6895 |
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询价 | ||
DIODES |
2016+ |
SOT223 |
6000 |
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DIODES/美台 |
26+ |
SOT223 |
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DIODES/美台 |
25+ |
SOT223 |
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DIODES/美台 |
11+ |
SOT223 |
1520 |
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DIODES/美台 |
26+ |
NA |
30000 |
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SOT223 |
25+ |
NA |
15659 |
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Diodes |
24+ |
SOT-223TO-261 |
2500 |
询价 | |||
DIODES |
2020+ |
SOT223 |
1005 |
全新 发货1-2天 |
询价 |
