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DXTP5840CFDB中文资料PNP, 40V, 4.8A, DFN2020-3数据手册Diodes规格书

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厂商型号

DXTP5840CFDB

参数属性

DXTP5840CFDB 封装/外壳为3-UDFN 裸露焊盘;包装为卷带(TR);类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个;产品描述:TRANS PNP 40V 4.8A 3DFN

功能描述

PNP, 40V, 4.8A, DFN2020-3
TRANS PNP 40V 4.8A 3DFN

封装外壳

3-UDFN 裸露焊盘

制造商

Diodes Diodes Incorporated

中文名称

美台半导体

数据手册

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更新时间

2025-9-26 16:25:00

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DXTP5840CFDB规格书详情

描述 Description

DC-DC Converters
Charging Circuits
Motor Control
Power Switches

应用 Application

• BVceo>-40V

• hFE Specified up to -3A for High Current Gain Hold Up

• Low Profile 0.6mm High Package for Thin Applications

• Totally Lead-Free & Fully RoHS Compliant

• Halogen and Antimony Free. “Green” Device

• Qualified to AEC-Q101 Standards for High Reliability









Product Specifications

简介

DXTP5840CFDB属于分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个。由制造生产的DXTP5840CFDB晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个分立式双极结型晶体管 (BJT) 通常在音频、无线电及其他应用中用于构建模拟信号放大功能。作为大批量生产的第一批半导体器件之一,对于涉及高频开关和在大电流或高电压下工作的应用而言,它们的特性相比某些器件类型不占优势,但对于需要以极小的噪声和失真构建模拟信号的应用而言,它们仍然是首选技术。

技术参数

更多
  • 制造商编号

    :DXTP5840CFDB

  • 生产厂家

    :Diodes

  • Compliance (Only Automotive supports PPAP)

    :On Request*

  • Product Type

    :PNP

  • IC (A)

    :4.8 A

  • ICM (A)

    :8 A

  • PD (W)

    :1.25 W

  • hFE (min)

    :240 Min

  • hFE(@ IC)

    :0.5 A

  • hFE(Min 2)

    :150

  • hFE(@ IC2)

    :3 A

  • VCE (SAT)Max (mV)

    :15 mV

  • VCE (SAT) (@ IC/IB2) (A/m A) (A/m A)

    :4/400

  • VCE (SAT)(Max.2)

    :260 mV

  • VCE (SAT) (@ IC/IB) (A/m A)

    :0.1/10

  • fT (MHz)

    :135 MHz

  • RCE(SAT)

    :N/A mΩ

  • Packages

    :U-DFN2020-3 (Type B)

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