DXTP58100CFDB中文资料PNP, 100V, 2A, DFN2020-3数据手册Diodes规格书

特性 Features

•BVceo>-100V
•hFE Specified up to -3A for High Current Gain Hold Up
•Low Profile 0.6mm High Package for Thin Applications
•Totally Lead-Free & Fully RoHS Compliant
•Halogen and Antimony Free. “Green” Device
•Qualified to AEC-Q101 Standards for High Reliability

应用 Application

• DC-DC Converters

• Charging Circuits

• Motor Control

• Power Switches

简介

DXTP58100CFDB属于分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个。由制造生产的DXTP58100CFDB晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个分立式双极结型晶体管 (BJT) 通常在音频、无线电及其他应用中用于构建模拟信号放大功能。作为大批量生产的第一批半导体器件之一，对于涉及高频开关和在大电流或高电压下工作的应用而言，它们的特性相比某些器件类型不占优势，但对于需要以极小的噪声和失真构建模拟信号的应用而言，它们仍然是首选技术。