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DXT751Q-13	文件：470.68 Kbytes Page：6 Pages	60V PNP LOW SATURATION POWER TRANSISTOR Description ThisBipolarJunctionTransistor(BJT)isdesignedtomeetthestringentrequirementsofautomotiveapplications. Features •BVCEO>-60V •IC=-3AHighContinuousCollectorCurrent •ICMupto-6APeakPulseCurrent •2WPowerDissipation •ComplementaryPNPType:DXT651Q •T	DIODES Diodes Incorporated	DIODES
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DXT751Q-13

文件：470.68 Kbytes

Page：6 Pages

60V PNP LOW SATURATION POWER TRANSISTOR

Description ThisBipolarJunctionTransistor(BJT)isdesignedtomeetthestringentrequirementsofautomotiveapplications. Features •BVCEO>-60V •IC=-3AHighContinuousCollectorCurrent •ICMupto-6APeakPulseCurrent •2WPowerDissipation •ComplementaryPNPType:DXT651Q •T

DIODES

Diodes Incorporated

DIODES

DXT751Q-13

文件：100 bytes

Page：1 Pages

Package：TO-243AA；包装：卷带（TR）类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS PNP 60V 3A SOT89-3

PAMDiodes Incorporated

龙鼎微龙鼎微电子（上海）有限公司

PAM

产品属性

产品编号：
DXT751Q-13
制造商：
Diodes Incorporated
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
系列：
Automotive, AEC-Q101
包装：
卷带（TR）
晶体管类型：
PNP
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
600mV @ 300mA，3A
电流 - 集电极截止（最大值）：
100nA（ICBO）
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
100 @ 500mA，2V
频率 - 跃迁：
100MHz
工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
TO-243AA
供应商器件封装：
SOT-89-3
描述：
TRANS PNP 60V 3A SOT89-3

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
中天科工半导体（深圳）有限公司	DXT751Q-13	Diodes Incorporated	24+	TO-243AA	30000	晶体管-分立半导体产品-原装正品	询价
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更多DXT751Q-13供应商更新时间2025-5-16 19:01:00

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