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DTM3A25P20NFDB	文件：532.64 Kbytes Page：10 Pages	25V PNP LOW SAT TRANSISTOR WITH N-CHANNEL MOSFET Features • Combination of PNP low VCE(sat) Transistor and N-Channel MOSFET • Very low collector-emitter saturation voltage VCE(sat) • High Collector Current Capability IC and ICM • High Collector Current Gain (hFE) at high IC • PD up to 2.47W for power demanding applications • Totally Le 文件：532.64 Kbytes 页数：10 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DTM3A25P20NFDB-7	文件：532.64 Kbytes Page：10 Pages	25V PNP LOW SAT TRANSISTOR WITH N-CHANNEL MOSFET Features • Combination of PNP low VCE(sat) Transistor and N-Channel MOSFET • Very low collector-emitter saturation voltage VCE(sat) • High Collector Current Capability IC and ICM • High Collector Current Gain (hFE) at high IC • PD up to 2.47W for power demanding applications • Totally Le 文件：532.64 Kbytes 页数：10 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DTM3A25P20NFDB	文件：300 bytes Page：1 Pages	25V PNP TRANSISTOR Low Sat Transistor with N-Channel MOSFET Combination of PNP low VCE(sat) Transistor and N-Channel MOSFET\nVery low collector-emitter saturation voltage VCE(sat)\nHigh Collector Current Capability IC and ICM\nHigh Collector Current Gain (hFE) at high IC\nPD up to 2.47W for power demanding applications;	Diodes 美台半导体	Diodes
DTM3A25P20NFDB-7	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：6-UDFN 裸露焊盘；包装：管件类别：分立半导体产品晶体管 - 特殊用途描述：TRANSISTOR ARRAY U-DFN2020-6 T\u0026R	DIODES 美台半导体	DIODES

技术参数

Automotive Compliant PPAP：
No
Config/ Polarity：
N + PNP
ESD Diodes：
No Y/N
VDS：
20 V
VGS：
0.5 ±V
IDSA +25ºC：
1 A
PDW +25ºC：
2.47 W
QG Typ @ VGS = 10V (nC)：
N/A
RDS(ON) Max (10V)：
N/A mΩ
RDS(ON) Max (4.5V)：
400 mΩ
RDS(ON) Max (2.5V)：
500 mΩ
VGS (th)：
1 V
Packages：
U-DFN2020-6

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多DTM3A25P20NFDB供应商更新时间2021-9-14 10:50:00

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