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DTM3A25P20NFDB数据手册分立半导体产品的晶体管-特殊用途规格书PDF

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厂商型号

DTM3A25P20NFDB

参数属性

DTM3A25P20NFDB 封装/外壳为6-UDFN 裸露焊盘;包装为管件;类别为分立半导体产品的晶体管-特殊用途;DTM3A25P20NFDB应用范围:通用;产品描述:TRANSISTOR ARRAY U-DFN2020-6 T\u0026R

功能描述

25V PNP TRANSISTOR Low Sat Transistor with N-Channel MOSFET

封装外壳

6-UDFN 裸露焊盘

制造商

Diodes Diodes Incorporated

中文名称

美台半导体

数据手册

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更新时间

2025-8-8 9:32:00

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DTM3A25P20NFDB规格书详情

特性 Features

Combination of PNP low VCE(sat) Transistor and N-Channel MOSFET
Very low collector-emitter saturation voltage VCE(sat)
High Collector Current Capability IC and ICM
High Collector Current Gain (hFE) at high IC
PD up to 2.47W for power demanding applications

技术参数

  • 制造商编号

    :DTM3A25P20NFDB

  • 生产厂家

    :Diodes

  • Automotive Compliant PPAP

    :No

  • Config/ Polarity

    :N + PNP

  • ESD Diodes

    :No Y/N

  • VDS

    :20 V

  • VGS

    :0.5 ±V

  • IDSA +25ºC

    :1 A

  • PDW +25ºC

    :2.47 W

  • QG Typ @ VGS = 10V (nC)

    :N/A

  • RDS(ON) Max (10V)

    :N/A mΩ

  • RDS(ON) Max (4.5V)

    :400 mΩ

  • RDS(ON) Max (2.5V)

    :500 mΩ

  • VGS (th)

    :1 V

  • Packages

    :U-DFN2020-6

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