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DTM3A25P20NFDB中文资料25V PNP TRANSISTOR Low Sat Transistor with N-Channel MOSFET数据手册Diodes规格书
| 厂商型号 |
DTM3A25P20NFDB |
| 参数属性 | DTM3A25P20NFDB 封装/外壳为6-UDFN 裸露焊盘；包装为管件；类别为分立半导体产品的晶体管-特殊用途；DTM3A25P20NFDB应用范围：通用；产品描述：TRANSISTOR ARRAY U-DFN2020-6 T\u0026R |
| 功能描述 | 25V PNP TRANSISTOR Low Sat Transistor with N-Channel MOSFET |
| 封装外壳 | 6-UDFN 裸露焊盘 |
| 制造商 | Diodes Diodes Incorporated |
| 中文名称 | 美台半导体 |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-11-18 20:00:00 |
| 人工找货 | DTM3A25P20NFDB价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
DTM3A25P20NFDB规格书详情
特性 Features
Combination of PNP low VCE(sat) Transistor and N-Channel MOSFET
Very low collector-emitter saturation voltage VCE(sat)
High Collector Current Capability IC and ICM
High Collector Current Gain (hFE) at high IC
PD up to 2.47W for power demanding applications
简介
DTM3A25P20NFDB属于分立半导体产品的晶体管-特殊用途。由Diodes制造生产的DTM3A25P20NFDB晶体管 - 特殊用途特殊用途晶体管系列产品属于分立晶体管或晶体管阵列，带有或不带有附加的集成无源元件和内部连接，可用于或经调整用于某些狭窄或特定的用途，例如电流镜、平衡串联电容器组或负载切换。
技术参数
更多- 制造商编号
：DTM3A25P20NFDB
- 生产厂家
：Diodes
- Automotive Compliant PPAP
：No
- Config/ Polarity
：N + PNP
- ESD Diodes
：No Y/N
- VDS
：20 V
- VGS
：0.5 ±V
- IDSA +25ºC
：1 A
- PDW +25ºC
：2.47 W
- QG Typ @ VGS = 10V (nC)
：N/A
- RDS(ON) Max (10V)
：N/A mΩ
- RDS(ON) Max (4.5V)
：400 mΩ
- RDS(ON) Max (2.5V)
：500 mΩ
- VGS (th)
：1 V
- Packages
：U-DFN2020-6
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
DIODES/美台 |
24+ |
NA/ |
15000 |
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询价 | ||
DAYSEMI |
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SOP-8 |
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VBsemi |
21+ |
SOP8 |
10065 |
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询价 | ||
TE Connectivity(泰科电子) |
24+ |
conn |
38 |
TE Connectivity(泰科电子)现货销售期货订购 |
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TE/泰科 |
2508+ |
/ |
209858 |
一级代理，原装现货 |
询价 | ||
DIODES/美台 |
2511 |
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VBsemi |
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24+ |
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询价 | ||
DEUTSCH |
68 |
询价 |
