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DTDG14	文件：59.95 Kbytes Page：2 Pages	Digital transistor built in resistor and zener diode Driver 60V, 1A Features 1) High hFE. (typ. hFE =750 VCE/IC=2V/0.5A) 2) Low saturation voltage, VCE(sat)=0.4V (IC/IB=500mA/5mA) 3) Built-in zener diode to protect the transistor against reverse voltages when connected to alow load. Structure NPN digital transistor (with single built resistor an 文件：59.95 Kbytes 页数：2 Pages	ROHM 罗姆	ROHM
DTDG14GP	文件：56.94 Kbytes Page：3 Pages	丝印：E01；Package：SOT-89；1A / 60V Digital Transistor (with built-in resistor and zener diode) Features 1) High hFE. (typ. hFE =750 VCE/IC=2V/0.5A) 2) Low saturation voltage, VCE(sat)=0.4V (IC/IB=500mA/5mA) 3) Built-in zener diode to protect the transistor against reverse voltages when connected to alow load. Structure NPN digital transistor (with single built resistor an 文件：56.94 Kbytes 页数：3 Pages	ROHM 罗姆	ROHM
DTDG14GP	文件：59.95 Kbytes Page：2 Pages	丝印：E01；Package：SOT-89；Digital transistor built in resistor and zener diode Driver 60V, 1A Features 1) High hFE. (typ. hFE =750 VCE/IC=2V/0.5A) 2) Low saturation voltage, VCE(sat)=0.4V (IC/IB=500mA/5mA) 3) Built-in zener diode to protect the transistor against reverse voltages when connected to alow load. Structure NPN digital transistor (with single built resistor an 文件：59.95 Kbytes 页数：2 Pages	ROHM 罗姆	ROHM
DTDG14GPT100	文件：56.94 Kbytes Page：3 Pages	1A / 60V Digital Transistor (with built-in resistor and zener diode) Features 1) High hFE. (typ. hFE =750 VCE/IC=2V/0.5A) 2) Low saturation voltage, VCE(sat)=0.4V (IC/IB=500mA/5mA) 3) Built-in zener diode to protect the transistor against reverse voltages when connected to alow load. Structure NPN digital transistor (with single built resistor an 文件：56.94 Kbytes 页数：3 Pages	ROHM 罗姆	ROHM
DTDG14GP	文件：1.00801 Mbytes Page：9 Pages	丝印：E01；Package：SOT-89；1A/60V Digital Transistor 文件：1.00801 Mbytes 页数：9 Pages	ROHM 罗姆	ROHM
DTDG14GP_15	文件：1.00801 Mbytes Page：9 Pages	1A/60V Digital Transistor 文件：1.00801 Mbytes 页数：9 Pages	ROHM 罗姆	ROHM
DTDG14GPFRA	文件：1.17954 Mbytes Page：8 Pages	丝印：E01；Package：SOT-89；60V /1A Digital Transistor (with built-in resistor and zener diode) 文件：1.17954 Mbytes 页数：8 Pages	ROHM 罗姆	ROHM
DTDG14	文件：300 bytes Page：1 Pages	Digital transistor built in resistor and zener diode Driver 60V, 1A	ROHM 罗姆	ROHM
DTDG14GP	文件：300 bytes Page：1 Pages	Digital transistor(with built-in resistor + zener diode) 罗姆开发了数字晶体管的标准产品。 •标准的数字晶体管;	ROHM 罗姆	ROHM
DTDG14GPFRA	文件：300 bytes Page：1 Pages	60V/1A 数字晶体管（电阻＆齐纳二极管内置型晶体管）为支持现有客户而生产的产品。不对新设计出售此产品。 • High hFE 300(Min.) (VCE/IC=2V/500mA) \n• Low saturation voltage. (VCE(sat)=400mV at IC/IB=500mA/5mA) \n• Built-in zener diode gives strong protection against reverse surge by L-load (an inductive load).;	ROHM 罗姆	ROHM

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晶体管资料

型号：
DTDG14GP
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-N+R
性质：
表面帖装型（SMD）_HI_BETA
封装形式：
贴片封装
极限工作电压：
60V
最大电流允许值：
1A
最大工作频率：
<1MHZ或未知
引脚数：
3
可代换的型号：
最大耗散功率：
放大倍数：
图片代号：
H-100
vtest：
60
htest：
999900
atest：
1
wtest：
0

技术参数

封装：
MPT3
包装数量：
1000
最小独立包装数量：
1000
包装形态：
Taping
RoHS：
Yes
Package Code：
SOT-89
JEITA Package：
SC-62
Number of terminal：
3
Polarity：
NPN
Supply voltage VCC 1[V]：
60
Collector current Io (Ic) [A]：
1
Emitter base Resistance R2 1 [kΩ]：
10
Collector-Emitter voltage VCEO1[V]：
60
Collector current Io(Ic) [A]：
1
Power Dissipation (PD)[W]：
0.5
Mounting Style：
Surface mount
GI hFE：
300 to
Output Current [A]：
1
Storage Temperature (Min.)[°C]：
-55
Storage Temperature (Max.)[°C]：
150
Package Size [mm]：
4.5x4 (t=1.5)

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