DTDG14GP分立半导体产品的晶体管-双极（BJT）-单预偏置规格书PDF中文资料
| 厂商型号 |
DTDG14GP |
| 参数属性 | DTDG14GP 封装/外壳为TO-243AA；包装为卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带；类别为分立半导体产品的晶体管-双极（BJT）-单预偏置；产品描述：TRANS PREBIAS NPN 2W MPT3 |
| 功能描述 | 1A / 60V Digital Transistor (with built-in resistor and zener diode) |
| 丝印标识 | |
| 封装外壳 | SOT-89 / TO-243AA |
| 文件大小 |
56.94 Kbytes |
| 页面数量 |
3 页 |
| 生产厂商 | Rohm |
| 企业简称 |
ROHM【罗姆】 |
| 中文名称 | 罗姆半导体集团官网 |
| 原厂标识 |  |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-7-2 11:22:00 |
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DTDG14GP规格书详情
Features
1) High hFE. (typ. hFE =750 VCE/IC=2V/0.5A)
2) Low saturation voltage, VCE(sat)=0.4V (IC/IB=500mA/5mA)
3) Built-in zener diode to protect the transistor against reverse voltages when connected to alow load.
Structure
NPN digital transistor (with single built resistor and zener diode)
产品属性
- 产品编号：
DTDG14GPT100
- 制造商：
Rohm Semiconductor
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极（BJT）- 单，预偏置
- 包装：
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带
- 晶体管类型：
NPN - 预偏压
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
300 @ 500mA，2V
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
400mV @ 5mA，500mA
- 电流 - 集电极截止（最大值）：
500nA（ICBO）
- 安装类型：
表面贴装型
- 封装/外壳：
TO-243AA
- 供应商器件封装：
MPT3
- 描述：
TRANS PREBIAS NPN 2W MPT3
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
原装ROHM |
23+ |
SOT89 |
8560 |
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询价 | ||
ROHM/罗姆 |
24+ |
SOT89 |
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ROHM |
21+ |
42664 |
12588 |
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ROHM/罗姆 |
23+ |
SOT89 |
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ROHM原装 |
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SOT-89 |
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ROHM |
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SOT-89 |
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ROHM/罗姆 |
22+ |
SOT-89 |
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24+ |
SOT89 |
9860 |
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ROHM/罗姆 |
2223+ |
SOT-89 |
26800 |
只做原装正品假一赔十为客户做到零风险 |
询价 | ||
ROHM |
1415+ |
SOT89 |
28500 |
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询价 |
