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DTB113E	文件：165.58 Kbytes Page：8 Pages	PNP SILICON BIAS RESISTOR TRANSISTOR This new series of digital transistors is designed to replace a single device and its external resistor bias network. The BRT (Bias Resistor Transistor) contains a single transistor with a monolithic bias network consisting of two resistors; a series base resistor and a base–emitter resistor. The 文件：165.58 Kbytes 页数：8 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
DTB113E	文件：704.49 Kbytes Page：9 Pages	丝印：F11；DIGITAL TRANSISTOR Features 1) Built-In Biasing Resistors, R1 = R2 = 10kΩ 2) Built-in bias resistors enable the configuration of an inverter circuit without connecting external input resistors (see inner circuit) . 3) Only the on/off conditions need to be set for operation, making the circuit design e 文件：704.49 Kbytes 页数：9 Pages	ROHM 罗姆	ROHM
DTB113EK	文件：66.57 Kbytes Page：3 Pages	丝印：T146；Package：SMT3；Digital transistors (built-in resistors) Feature 1) Built-in bias resistors enable the configuration of an inverter circuit without connecting external input resistors (see equivalent circuit). 2) The bias resistors consist of thinfilm resistors with complete isolation to allow positive biasing of the input. They al 文件：66.57 Kbytes 页数：3 Pages	ROHM 罗姆	ROHM
DTB113EKFRA	文件：1.09294 Mbytes Page：8 Pages	-500mA/-50V Digital transistor (with built-in resistors) Features 1) Built-In Biasing Resistors, R1 = R2 = 1.0kΩ 2) Built-in bias resistors enable the configuration of an inverter circuit without connecting external input resistors (see inner circuit) . 3) Only the on/off conditions need to be set for operation, making the circuit design 文件：1.09294 Mbytes 页数：8 Pages	ROHM 罗姆	ROHM
DTB113ES	文件：66.57 Kbytes Page：3 Pages	丝印：TP；Package：SPT；Digital transistors (built-in resistors) Feature 1) Built-in bias resistors enable the configuration of an inverter circuit without connecting external input resistors (see equivalent circuit). 2) The bias resistors consist of thinfilm resistors with complete isolation to allow positive biasing of the input. They al 文件：66.57 Kbytes 页数：3 Pages	ROHM 罗姆	ROHM
DTB113EC	文件：1.09298 Mbytes Page：8 Pages	-500mA/-50V Digital transistor 文件：1.09298 Mbytes 页数：8 Pages	ROHM 罗姆	ROHM
DTB113ECHZG	文件：1.15361 Mbytes Page：9 Pages	-500mA/-50V Digital transistor (with built-in resistors) 文件：1.15361 Mbytes 页数：9 Pages	ROHM 罗姆	ROHM
DTB113EK	文件：918.32 Kbytes Page：9 Pages	-500mA/-50V Digital transistor 文件：918.32 Kbytes 页数：9 Pages	ROHM 罗姆	ROHM
DTB113EK	文件：142.01 Kbytes Page：3 Pages	丝印：F11；Package：SMT3；-500mA / -50V Digital transistors (with built-in resistors) 文件：142.01 Kbytes 页数：3 Pages	ROHM 罗姆	ROHM
DTB113EK_09	文件：142.01 Kbytes Page：3 Pages	-500mA / -50V Digital transistors (with built-in resistors) 文件：142.01 Kbytes 页数：3 Pages	ROHM 罗姆	ROHM

晶体管资料

型号：
DTB113E(A,F,L,S,V)
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-P+R
性质：
开关管（S）
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
50V
最大电流允许值：
0.5A
最大工作频率：
<1MHZ或未知
引脚数：
3
可代换的型号：
RN2221,
最大耗散功率：
0.6W
放大倍数：
图片代号：
A-68
vtest：
50
htest：
999900
atest：
0.5
wtest：
0.6

技术参数

VCEO(V)：
50
hFE@IC/ Min：
39
hFE@IC (mA)：
50
R1 (kΩ)：
1.0
R2 (kΩ)：
1.0
Polarity：
PNP
Package：
SOT-23

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