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DTB113EK_15

-500mA/-50V Digital transistor

文件:918.32 Kbytes 页数:9 Pages

ROHM

罗姆

DTB113E

BIAS RESISTOR TRANSISTORS

AiT-Semi

创瑞科技

DTB113E

PNP SILICON BIAS RESISTOR TRANSISTOR

ONSEMI

安森美半导体

DTB113EC

Digital Transistor

UTC

友顺

DTB113ECT116

Package:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3;包装:卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带 类别:分立半导体产品 晶体管 - 双极(BJT)- 单,预偏置 描述:PNP -500MA/-50V DIGITAL TRANSIST

ROHM

罗姆

DTB113EKT146

Package:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3;包装:卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带 类别:分立半导体产品 晶体管 - 双极(BJT)- 单,预偏置 描述:TRANS PREBIAS PNP 200MW SMT3

ROHM

罗姆

DTB113ESTP

Package:SC-72 成形引线;包装:卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带 类别:分立半导体产品 晶体管 - 双极(BJT)- 单,预偏置 描述:TRANS PREBIAS PNP 300MW SPT

ROHM

罗姆

晶体管资料

  • 型号:

    DTB113E(A,F,L,S,V)

  • 别名:

    三极管、晶体管、晶体三极管

  • 生产厂家:

  • 制作材料:

    Si-P+R

  • 性质:

    开关管 (S)

  • 封装形式:

    直插封装

  • 极限工作电压:

    50V

  • 最大电流允许值:

    0.5A

  • 最大工作频率:

    <1MHZ或未知

  • 引脚数:

    3

  • 可代换的型号:

    RN2221,

  • 最大耗散功率:

    0.6W

  • 放大倍数:

  • 图片代号:

    A-68

  • vtest:

    50

  • htest:

    999900

  • atest:

    0.5

  • wtest:

    0.6

技术参数

  • VCEO(V):

    50

  • hFE@IC/ Min:

    39

  • hFE@IC (mA):

    50

  • R1 (kΩ):

    1.0

  • R2 (kΩ):

    1.0

  • Polarity:

    PNP

  • Package:

    SOT-23

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