DTB113E分立半导体产品的晶体管-双极(BJT)-单预偏置规格书PDF中文资料

厂商型号 |
DTB113E |
参数属性 | DTB113E 封装/外壳为TO-236-3,SC-59,SOT-23-3;包装为卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带;类别为分立半导体产品的晶体管-双极(BJT)-单预偏置;产品描述:PNP -500MA/-50V DIGITAL TRANSIST |
功能描述 | PNP SILICON BIAS RESISTOR TRANSISTOR |
封装外壳 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
文件大小 |
165.58 Kbytes |
页面数量 |
8 页 |
生产厂商 | ONSEMI |
中文名称 | 安森美半导体 |
网址 | |
数据手册 | |
更新时间 | 2025-10-14 14:35:00 |
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DTB113E规格书详情
This new series of digital transistors is designed to replace a single device and its external resistor bias network. The BRT (Bias Resistor Transistor) contains a single transistor with a monolithic bias network consisting of two resistors; a series base resistor and a base–emitter resistor. The BRT eliminates these individual components by integrating them into a single device. The use of a BRT can reduce both system cost and board space. The device is housed in the TO–92 package which is designed for through hole applications.
产品属性
- 产品编号:
DTB113ECT116
- 制造商:
Rohm Semiconductor
- 类别:
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极(BJT)- 单,预偏置
- 包装:
卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带
- 晶体管类型:
PNP - 预偏压
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):
33 @ 50mA,5V
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):
300mV @ 2.5mA,50mA
- 电流 - 集电极截止(最大值):
500nA
- 安装类型:
表面贴装型
- 封装/外壳:
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
- 供应商器件封装:
SST3
- 描述:
PNP -500MA/-50V DIGITAL TRANSIST
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
ROHM/罗姆 |
24+ |
SMT3 |
30000 |
房间原装现货特价热卖,有单详谈 |
询价 | ||
ROHM(罗姆) |
24+ |
NA |
9000 |
只做原装正品 有挂有货 假一赔十 |
询价 | ||
ROHM |
24+ |
SOT-23 |
6970 |
新进库存/原装 |
询价 | ||
ROHM |
24+ |
SOT-346 |
6230 |
只做原装正品 |
询价 | ||
ROHM/罗姆 |
22+ |
SMT3 |
12000 |
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询价 | ||
ROHM |
23+ |
SMT3 |
8560 |
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询价 | ||
ROHM |
21+ |
SOT-23 |
100 |
全新原装鄙视假货 |
询价 | ||
ROHM |
22+ |
SOT-23 |
8000 |
原装正品支持实单 |
询价 | ||
ROHM |
00+ |
SOT23 |
11320 |
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询价 | ||
ROHM |
21+ |
SMT3 (SOT-346) (SC-59) |
18000 |
15年光格 只做原装正品 |
询价 |