DTB113E分立半导体产品的晶体管-双极（BJT）-单预偏置规格书PDF中文资料
| 厂商型号 |
DTB113E |
| 参数属性 | DTB113E 封装/外壳为TO-236-3，SC-59，SOT-23-3；包装为卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带；类别为分立半导体产品的晶体管-双极（BJT）-单预偏置；产品描述：PNP -500MA/-50V DIGITAL TRANSIST |
| 功能描述 | PNP SILICON BIAS RESISTOR TRANSISTOR |
| 封装外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 文件大小 |
165.58 Kbytes |
| 页面数量 |
8 页 |
| 生产厂商 | ONSEMI |
| 中文名称 | 安森美半导体 |
| 网址 | |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-12-1 23:00:00 |
| 人工找货 | DTB113E价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
DTB113E规格书详情
This new series of digital transistors is designed to replace a single device and its external resistor bias network. The BRT (Bias Resistor Transistor) contains a single transistor with a monolithic bias network consisting of two resistors; a series base resistor and a base–emitter resistor. The BRT eliminates these individual components by integrating them into a single device. The use of a BRT can reduce both system cost and board space. The device is housed in the TO–92 package which is designed for through hole applications.
产品属性
- 产品编号：
DTB113ECT116
- 制造商：
Rohm Semiconductor
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极（BJT）- 单，预偏置
- 包装：
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带
- 晶体管类型：
PNP - 预偏压
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
33 @ 50mA，5V
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
300mV @ 2.5mA，50mA
- 电流 - 集电极截止（最大值）：
500nA
- 安装类型：
表面贴装型
- 封装/外壳：
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
- 供应商器件封装：
SST3
- 描述：
PNP -500MA/-50V DIGITAL TRANSIST
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ROHM(罗姆) |
24+ |
SST3 |
7350 |
现货供应,当天可交货!免费送样,原厂技术支持!!! |
询价 | ||
羅姆 |
24+ |
NA/ |
5750 |
原装现货,当天可交货,原型号开票 |
询价 | ||
ROHM |
00+ |
SOT23 |
11320 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
询价 | ||
ROHM/罗姆 |
22+ |
SOT-23 |
100000 |
代理渠道/只做原装/可含税 |
询价 | ||
ROHM/罗姆 |
25+ |
TO-92S |
9920 |
原装正品,假一罚十! |
询价 | ||
ROHM/罗姆 |
23+ |
SOT-23 |
50000 |
原装正品 支持实单 |
询价 | ||
ROHM/罗姆 |
22+ |
SMT3 |
12000 |
现货,原厂原装假一罚十! |
询价 | ||
ONS |
24+ |
NA |
115000 |
只做原装正品现货 欢迎来电查询15919825718 |
询价 | ||
ROHM/罗姆 |
1994 |
5000 |
询价 | ||||
ROHM |
24+ |
SOT-346 |
6230 |
只做原装正品 |
询价 |
