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DST847BPDP6	文件：185.28 Kbytes Page：8 Pages	COMPLEMENTARY DUAL SMALL SIGNAL SURFACE MOUNT TRANSISTOR Features •NPN&PNPComplementarySS •BVCEO>45V •IC=100mAHighCollectorCurrent •PD=300mWPowerDissipation •1mm2PackageFootprint,5timessmallerthanSOT23 •0.5mmHeightPackageMinimizingOff-BoardProfile •TotallyLead-Free&FullyRoHSCompliant(Notes1&2	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
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DST847BPDP6

文件：185.28 Kbytes

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COMPLEMENTARY DUAL SMALL SIGNAL SURFACE MOUNT TRANSISTOR

Features •NPN&PNPComplementarySS •BVCEO>45V •IC=100mAHighCollectorCurrent •PD=300mWPowerDissipation •1mm2PackageFootprint,5timessmallerthanSOT23 •0.5mmHeightPackageMinimizingOff-BoardProfile •TotallyLead-Free&FullyRoHSCompliant(Notes1&2

DIODESDiodes Incorporated

美台半导体

DIODES

DST847BPDP6-7

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Page：8 Pages

COMPLEMENTARY DUAL SMALL SIGNAL SURFACE MOUNT TRANSISTOR

DIODESDiodes Incorporated

美台半导体

DIODES

DST847BPDP6_15

文件：400.76 Kbytes

Page：9 Pages

45V COMPLEMENTARY SMALL SIGNAL TRANSISTOR IN SOT963

DIODESDiodes Incorporated

美台半导体

DIODES

详细参数

型号：
DST847BPDP6
功能描述：
TRANS ARRAY NPN/PNP 45V SOT963
RoHS：
是
类别：
分离式半导体产品 >> 晶体管(BJT) - 阵列
系列：
-
标准包装：
10,000
晶体管类型：
2 NPN（双）电流 -
集电极(Ic)（最大）：
100mA 电压 -
集电极发射极击穿（最大）：
45V
Ib、Ic条件下的Vce饱和度（最大）：
600mV @ 5mA，100mA 电流 -
集电极截止（最大）：
- 在某 Ic、Vce
时的最小直流电流增益(hFE)：
200 @ 2mA，5V 功率 -
最大：
250mW 频率 -
转换：
250MHz
安装类型：
表面贴装
封装/外壳：
6-TSSOP，SC-88，SOT-363
供应商设备封装：
PG-SOT363-6
包装：
带卷(TR)
其它名称：
SP000747402

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