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DST847BPDP6-7	文件：185.28 Kbytes Page：8 Pages	COMPLEMENTARY DUAL SMALL SIGNAL SURFACE MOUNT TRANSISTOR Features • NPN & PNP Complementary SS • BVCEO > 45V • IC = 100mA High Collector Current • PD = 300mW Power Dissipation • 1mm2 Package Footprint, 5 times smaller than SOT23 • 0.5mm Height Package Minimizing Off-Board Profile • Totally Lead-Free & Fully RoHS Compliant (Notes 1 & 2 文件：185.28 Kbytes 页数：8 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
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DSX211SH24.000MHZ	文件：0 bytes Page：0 Pages	SMD	KDS 大真空上传：深圳市瑞卓芯科技有限公司	KDS

详细参数

型号：
DST847BPDP6-7
功能描述：
两极晶体管 - BJT BIPOLAR TRANS COMP
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
PNP 集电极—基极电压
VCBO：
集电极—发射极最大电压
VCEO：
- 40 V 发射极 - 基极电压
VEBO：
- 6 V
增益带宽产品fT：
直流集电极/Base Gain hfe
Min：
100 A
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
PowerFLAT 2 x 2

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