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DSS60601MZ4Q	文件：300 bytes Page：1 Pages	60V NPN LOW SATURATION TRANSISTOR IN SOT223 This Bipolar Junction Transistor (BJT) is designed to meet the stringent requirements of Automotive Applications. •BVCEO > 60V\n•IC = 6A High Continuous Current\n•ICM = 12A Peak Pulse Current\n•Low Saturation Voltage VCE(SAT) < 60mV @ 1A\n•Complementary PNP Type: DSS60600MZ4\n•Totally Lead-Free & Fully RoHS Compliant (Notes 1 & 2)\n•Halogen and Antimony Free. “Green” Device (Note 3)\n•Qualified to AEC-Q101 Stan;	Diodes 美台半导体	Diodes
DSS60601MZ4Q-13	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-243AA；包装：卷带（TR）类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS PNP 120V 0.7A MPT3	PAM 龙鼎微	PAM
NSS60601MZ4	文件：110.9 Kbytes Page：6 Pages	60 V, 6.0 A, Low VCE(sat) NPN Transistor 文件：110.9 Kbytes 页数：6 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NSS60601MZ4	文件：114.56 Kbytes Page：6 Pages	NPN Transistor 文件：114.56 Kbytes 页数：6 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NSS60601MZ4	文件：111.07 Kbytes Page：5 Pages	60 V, 6.0 A, Low VCE(sat) NPN Transistor 文件：111.07 Kbytes 页数：5 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI

技术参数

Automotive Compliant PPAP：
Yes
Product Type：
NPN
IC：
6 A
ICM：
12 A
PD：
1.2 W
hFE：
120 Min
hFE (@ IC)：
1 A
hFE (Min 2)：
50
hFE (@ IC2)：
6 A
VCE (SAT) Max：
60 mV
VCE (SAT) (@ IC/IB) (A/m A)：
'0.01/1
VCE (SAT) (Max.2)：
220 mV
VCE (SAT) (@ IC/IB2) (A/m A)：
3/60
fT：
100 MHz
RCE(SAT)：
N/A mΩ
Packages：
SOT223

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深圳市盈慧通电子有限公司	DSS60601MZ4Q	DIODES/美台	2511	SOT223	360000	电子元器件采购降本 30%!盈慧通原厂直采,砍掉中间差价	询价
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