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DSS60601MZ4Q中文资料60V NPN LOW SATURATION TRANSISTOR IN SOT223数据手册Diodes规格书
| 厂商型号 |
DSS60601MZ4Q |
| 参数属性 | DSS60601MZ4Q 封装/外壳为TO-243AA；包装为卷带（TR）；类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个；产品描述：TRANS PNP 120V 0.7A MPT3 |
| 功能描述 | 60V NPN LOW SATURATION TRANSISTOR IN SOT223 |
| 封装外壳 | TO-243AA |
| 制造商 | Diodes Diodes Incorporated |
| 中文名称 | 美台半导体 |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-9-23 20:00:00 |
| 人工找货 | DSS60601MZ4Q价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
DSS60601MZ4Q规格书详情
描述 Description
This Bipolar Junction Transistor (BJT) is designed to meet the stringent requirements of Automotive Applications.
特性 Features
•BVCEO > 60V
•IC = 6A High Continuous Current
•ICM = 12A Peak Pulse Current
•Low Saturation Voltage VCE(SAT) < 60mV @ 1A
•Complementary PNP Type: DSS60600MZ4
•Totally Lead-Free & Fully RoHS Compliant (Notes 1 & 2)
•Halogen and Antimony Free. “Green” Device (Note 3)
•Qualified to AEC-Q101 Standards for High Reliability
•PPAP Capable (Note 4)
技术参数
- 制造商编号
：DSS60601MZ4Q
- 生产厂家
：Diodes
- Automotive Compliant PPAP
：Yes
- Product Type
：NPN
- IC
：6 A
- ICM
：12 A
- PD
：1.2 W
- hFE
：120 Min
- hFE (@ IC)
：1 A
- hFE (Min 2)
：50
- hFE (@ IC2)
：6 A
- VCE (SAT) Max
：60 mV
- VCE (SAT) (@ IC/IB) (A/m A)
：'0.01/1
- VCE (SAT) (Max.2)
：220 mV
- VCE (SAT) (@ IC/IB2) (A/m A)
：3/60
- fT
：100 MHz
- RCE(SAT)
：N/A mΩ
- Packages
：SOT223
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
MURATA/村田 |
24+ |
NA/ |
16000 |
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票 |
询价 | ||
MURATA |
25+ |
DIP |
18000 |
原装正品,假一罚十! |
询价 | ||
MURATA/村田 |
2450+ |
DIP3 |
8850 |
只做原装正品假一赔十为客户做到零风险!! |
询价 | ||
MURATA |
21+ |
DIP3 |
2900 |
原装现货假一赔十 |
询价 | ||
MURATA |
22+ |
SMD |
100000 |
只做原装正品 |
询价 | ||
24+ |
592 |
询价 | |||||
MURATA/村田 |
24+ |
DIP3 |
27950 |
郑重承诺只做原装进口现货 |
询价 | ||
DIODES/美台 |
23+ |
NA |
12730 |
原装正品代理渠道价格优势 |
询价 | ||
Diodes(美台) |
25+ |
SOT-223 |
500000 |
源自原厂成本,高价回收工厂呆滞 |
询价 | ||
MURATA/村田 |
23+ |
6800 |
专注配单,只做原装进口现货 |
询价 |
