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DSS60601MZ4Q数据手册分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个规格书PDF
DSS60601MZ4Q规格书详情
描述 Description
This Bipolar Junction Transistor (BJT) is designed to meet the stringent requirements of Automotive Applications.
特性 Features
•BVCEO > 60V
•IC = 6A High Continuous Current
•ICM = 12A Peak Pulse Current
•Low Saturation Voltage VCE(SAT) < 60mV @ 1A
•Complementary PNP Type: DSS60600MZ4
•Totally Lead-Free & Fully RoHS Compliant (Notes 1 & 2)
•Halogen and Antimony Free. “Green” Device (Note 3)
•Qualified to AEC-Q101 Standards for High Reliability
•PPAP Capable (Note 4)
技术参数
- 制造商编号
：DSS60601MZ4Q
- 生产厂家
：Diodes
- Automotive Compliant PPAP
：Yes
- Product Type
：NPN
- IC
：6 A
- ICM
：12 A
- PD
：1.2 W
- hFE
：120 Min
- hFE (@ IC)
：1 A
- hFE (Min 2)
：50
- hFE (@ IC2)
：6 A
- VCE (SAT) Max
：60 mV
- VCE (SAT) (@ IC/IB) (A/m A)
：'0.01/1
- VCE (SAT) (Max.2)
：220 mV
- VCE (SAT) (@ IC/IB2) (A/m A)
：3/60
- fT
：100 MHz
- RCE(SAT)
：N/A mΩ
- Packages
：SOT223
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
DIODES/美台 |
23+ |
NA |
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MURATA/村田 |
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DIP |
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MURATA/村田 |
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MURATA/村田 |
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