DSS5540X中文资料PNP, 40V, 4A, SOT89数据手册Diodes规格书
| 厂商型号 |
DSS5540X |
| 参数属性 | DSS5540X 封装/外壳为TO-243AA；包装为卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带；类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个；产品描述：TRANS PNP 40V 4A SOT89-3 |
| 功能描述 | PNP, 40V, 4A, SOT89 |
| 封装外壳 | TO-243AA |
| 制造商 | Diodes Diodes Incorporated |
| 中文名称 | 美台半导体 |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-11-24 16:10:00 |
| 人工找货 | DSS5540X价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
DSS5540X规格书详情
简介
DSS5540X属于分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个。由Diodes制造生产的DSS5540X晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个分立式双极结型晶体管 (BJT) 通常在音频、无线电及其他应用中用于构建模拟信号放大功能。作为大批量生产的第一批半导体器件之一，对于涉及高频开关和在大电流或高电压下工作的应用而言，它们的特性相比某些器件类型不占优势，但对于需要以极小的噪声和失真构建模拟信号的应用而言，它们仍然是首选技术。
技术参数
更多- 制造商编号
：DSS5540X
- 生产厂家
：Diodes
- Compliance (Only Automotive supports PPAP)
：On Request*
- Product Type
：PNP
- IC (A)
：4 A
- ICM (A)
：10 A
- PD (W)
：0.9 W
- hFE (min)
：250 Min
- hFE(@ IC)
：0.5 A
- hFE(Min 2)
：50
- hFE(@ IC2)
：2 A
- VCE (SAT)Max (mV)
：120 mV
- VCE (SAT) (@ IC/IB2) (A/m A) (A/m A)
：0.05/5
- VCE (SAT)(Max.2)
：340 mV
- VCE (SAT) (@ IC/IB) (A/m A)
：3/150
- fT (MHz)
：60 MHz
- RCE(SAT)
：N/A mΩ
- Packages
：SOT89
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
DIODES INCORPORATED |
23+ |
DSS5540X-13 |
5864 |
原装原标原盒 给价就出 全网最低 |
询价 | ||
DIODES/美台 |
24+ |
SOT-89 |
28235 |
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询价 | ||
DIODES/美台 |
24+ |
NA |
30000 |
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询价 | ||
DIODES/美台 |
23+ |
SOT-89-3 |
12730 |
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DIODES/美台 |
25+ |
SOT89 |
2500 |
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Diodes(美台) |
23+ |
NA |
20094 |
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Diodes(美台) |
24+ |
SOT893 |
7350 |
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DIODES/美台 |
22+ |
SOT-89-3 |
18688 |
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DIODES/美台 |
21+ |
SOT-89-3 |
8080 |
只做原装,质量保证 |
询价 | ||
DIODES |
20+ |
SOT-89-3 |
69052 |
原装优势主营型号-可开原型号增税票 |
询价 |
