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DSS5240T中文资料PNP TRANSISTOR数据手册Diodes规格书

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厂商型号

DSS5240T

参数属性

DSS5240T 封装/外壳为TO-236-3,SC-59,SOT-23-3;包装为卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带;类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个;产品描述:TRANS PNP 40V 2A SOT23-3

功能描述

PNP TRANSISTOR
TRANS PNP 40V 2A SOT23-3

封装外壳

TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

制造商

Diodes Diodes Incorporated

中文名称

美台半导体

数据手册

原厂下载下载地址下载地址二

更新时间

2025-11-24 11:33:00

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DSS5240T规格书详情

应用 Application

Gate Driving MOSFETs and IGBTs 
\t
\t\tLoad Switch 
\t
\t\tDC-DC Converters 
\t
\t\tBattery Charging


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\t\t\t\tProduct Specifications

简介

DSS5240T属于分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个。由Diodes制造生产的DSS5240T晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个分立式双极结型晶体管 (BJT) 通常在音频、无线电及其他应用中用于构建模拟信号放大功能。作为大批量生产的第一批半导体器件之一,对于涉及高频开关和在大电流或高电压下工作的应用而言,它们的特性相比某些器件类型不占优势,但对于需要以极小的噪声和失真构建模拟信号的应用而言,它们仍然是首选技术。

技术参数

更多
  • 制造商编号

    :DSS5240T

  • 生产厂家

    :Diodes

  • AutomotiveCompliantPPAP

    :OnRequest*

  • ProductType

    :PNP

  • IC

    :2A

  • ICM

    :3A

  • PD

    :0.6W

  • hFE

    :260Min

  • hFE(@IC)

    :0.5A

  • hFE(Min2)

    :100

  • hFE(@IC2)

    :2A

  • VCE(SAT)Max

    :110mV

  • VCE(SAT)(@IC/IB)

    :0.5/50A/mA

  • VCE(SAT)(Max.2)

    :225mV

  • VCE(SAT)(@IC/IB2)

    :1/100A/mA

  • fT

    :100

  • RCE(SAT)

    :N/AmΩ

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
Diodes(美台)
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