DSS4140V中文资料NPN, 40V, 1A, SOT563数据手册Diodes规格书
| 厂商型号 |
DSS4140V |
| 参数属性 | DSS4140V 封装/外壳为SOT-563，SOT-666；包装为卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带；类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个；产品描述：TRANS NPN 40V 1A SOT563 |
| 功能描述 | NPN, 40V, 1A, SOT563 |
| 封装外壳 | SOT-563，SOT-666 |
| 制造商 | Diodes Diodes Incorporated |
| 中文名称 | 美台半导体 |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-11-25 23:00:00 |
| 人工找货 | DSS4140V价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
DSS4140V规格书详情
简介
DSS4140V属于分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个。由Diodes制造生产的DSS4140V晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个分立式双极结型晶体管 (BJT) 通常在音频、无线电及其他应用中用于构建模拟信号放大功能。作为大批量生产的第一批半导体器件之一，对于涉及高频开关和在大电流或高电压下工作的应用而言，它们的特性相比某些器件类型不占优势，但对于需要以极小的噪声和失真构建模拟信号的应用而言，它们仍然是首选技术。
技术参数
更多- 制造商编号
：DSS4140V
- 生产厂家
：Diodes
- Compliance (Only Automotive supports PPAP)
：On Request*
- Product Type
：NPN
- IC (A)
：1 A
- ICM (A)
：3 A
- PD (W)
：0.6 W
- hFE (min)
：300 Min
- hFE(@ IC)
：0.5 A
- hFE(Min 2)
：200
- hFE(@ IC2)
：1 A
- VCE (SAT)Max (mV)
：110 mV
- VCE (SAT) (@ IC/IB2) (A/m A) (A/m A)
：2/200
- VCE (SAT)(Max.2)
：440 mV
- VCE (SAT) (@ IC/IB) (A/m A)
：0.5/50
- fT (MHz)
：150 MHz
- RCE(SAT)
：N/A mΩ
- Packages
：SOT563
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
DIODES(美台) |
24+ |
SOT563 |
7350 |
现货供应,当天可交货!免费送样,原厂技术支持!!! |
询价 | ||
DIODES/美台 |
24+ |
NA/ |
1100 |
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询价 | ||
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24+ |
DIP-4 |
80000 |
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询价 | ||
SRC |
12+ |
DIP-4 |
24177 |
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询价 | ||
DIODES/美台 |
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原厂原封可拆样 |
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询价 | ||
DIODES |
20+ |
SOT-563 |
36800 |
原装优势主营型号-可开原型号增税票 |
询价 | ||
DIODES/美台 |
23+ |
SOT-563 |
12700 |
买原装认准中赛美 |
询价 | ||
DIODE |
23+ |
SOT563 |
50000 |
原装正品 支持实单 |
询价 | ||
DIODES/美台 |
新年份 |
SOT-563 |
9000 |
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询价 | ||
MIXED |
23+ |
NA |
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询价 |
