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DSS4160T中文资料NPN, 60V, 1A, SOT23数据手册Diodes规格书

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厂商型号

DSS4160T

参数属性

DSS4160T 封装/外壳为TO-236-3,SC-59,SOT-23-3;包装为卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带;类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个;产品描述:TRANS NPN 60V 1A SOT23-3

功能描述

NPN, 60V, 1A, SOT23
TRANS NPN 60V 1A SOT23-3

封装外壳

TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

制造商

Diodes Diodes Incorporated

中文名称

美台半导体

数据手册

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更新时间

2025-10-6 14:16:00

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DSS4160T规格书详情

描述 Description

60V LOW VCE(SAT) NPN SURFACE MOUNT TRANSISTOR

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\t\t\t\tProduct Specifications

简介

DSS4160T属于分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个。由制造生产的DSS4160T晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个分立式双极结型晶体管 (BJT) 通常在音频、无线电及其他应用中用于构建模拟信号放大功能。作为大批量生产的第一批半导体器件之一,对于涉及高频开关和在大电流或高电压下工作的应用而言,它们的特性相比某些器件类型不占优势,但对于需要以极小的噪声和失真构建模拟信号的应用而言,它们仍然是首选技术。

技术参数

更多
  • 制造商编号

    :DSS4160T

  • 生产厂家

    :Diodes

  • Compliance (Only Automotive supports PPAP)

    :Yes

  • Product Type

    :NPN

  • IC (A)

    :1 A

  • ICM (A)

    :2 A

  • PD (W)

    :0.725 W

  • hFE (min)

    :250 Min

  • hFE(@ IC)

    :0.001 A

  • hFE(Min 2)

    :100

  • hFE(@ IC2)

    :1 A

  • VCE (SAT)Max (mV)

    :115 mV

  • VCE (SAT) (@ IC/IB) (A/m A)

    :0.1/0.001

  • VCE (SAT)(Max.2)

    :280 mV

  • VCE (SAT) (@ IC/IB2) (A/mA)

    :1/0.1

  • fT (MHz)

    :150 MHz

  • RCE(SAT)

    :280 mΩ

  • Packages

    :SOT23

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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