DSS4160T中文资料NPN, 60V, 1A, SOT23数据手册Diodes规格书
| 厂商型号 |
DSS4160T |
| 参数属性 | DSS4160T 封装/外壳为TO-236-3，SC-59，SOT-23-3；包装为卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带；类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个；产品描述：TRANS NPN 60V 1A SOT23-3 |
| 功能描述 | NPN, 60V, 1A, SOT23 |
| 封装外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 制造商 | Diodes Diodes Incorporated |
| 中文名称 | 美台半导体 |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-11-21 18:33:00 |
| 人工找货 | DSS4160T价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
DSS4160T规格书详情
描述 Description
60V LOW VCE(SAT) NPN SURFACE MOUNT TRANSISTOR
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\t\t\t\tProduct Specifications
简介
DSS4160T属于分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个。由Diodes制造生产的DSS4160T晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个分立式双极结型晶体管 (BJT) 通常在音频、无线电及其他应用中用于构建模拟信号放大功能。作为大批量生产的第一批半导体器件之一，对于涉及高频开关和在大电流或高电压下工作的应用而言，它们的特性相比某些器件类型不占优势，但对于需要以极小的噪声和失真构建模拟信号的应用而言，它们仍然是首选技术。
技术参数
更多- 制造商编号
：DSS4160T
- 生产厂家
：Diodes
- Compliance (Only Automotive supports PPAP)
：Yes
- Product Type
：NPN
- IC (A)
：1 A
- ICM (A)
：2 A
- PD (W)
：0.725 W
- hFE (min)
：250 Min
- hFE(@ IC)
：0.001 A
- hFE(Min 2)
：100
- hFE(@ IC2)
：1 A
- VCE (SAT)Max (mV)
：115 mV
- VCE (SAT) (@ IC/IB) (A/m A)
：0.1/0.001
- VCE (SAT)(Max.2)
：280 mV
- VCE (SAT) (@ IC/IB2) (A/mA)
：1/0.1
- fT (MHz)
：150 MHz
- RCE(SAT)
：280 mΩ
- Packages
：SOT23
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
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