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DSS5160T	文件：117.83 Kbytes Page：6 Pages	60V LOW VCE(sat) PNP SURFACE MOUNT TRANSISTOR Features • Epitaxial Planar Die Construction • Ideal for Medium Power Amplification and Switching • “Lead Free”, RoHS Compliant (Note 1) • Halogen and Antimony Free. Green Device (Note 2) • Qualified to AEC-Q101 Standards for High Reliability 文件：117.83 Kbytes 页数：6 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DSS5160T-7	文件：117.83 Kbytes Page：6 Pages	60V LOW VCE(sat) PNP SURFACE MOUNT TRANSISTOR Features • Epitaxial Planar Die Construction • Ideal for Medium Power Amplification and Switching • “Lead Free”, RoHS Compliant (Note 1) • Halogen and Antimony Free. Green Device (Note 2) • Qualified to AEC-Q101 Standards for High Reliability 文件：117.83 Kbytes 页数：6 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DSS5160TQ	文件：383.15 Kbytes Page：6 Pages	LOW VCE(SAT) PNP SURFACE MOUNT TRANSISTOR Description This Bipolar Junction Transistor (BJT) is designed to meet the stringent requirements of Automotive Applications. Features • BVCEO > -60V • IC = -1A Continuous Collector Current • ICM = -2A Peak Pulse Current • Epitaxial Planar Die Construction • Ideal for Medium Power Amplifica 文件：383.15 Kbytes 页数：6 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DSS5160TQ-7	文件：383.15 Kbytes Page：6 Pages	LOW VCE(SAT) PNP SURFACE MOUNT TRANSISTOR Description This Bipolar Junction Transistor (BJT) is designed to meet the stringent requirements of Automotive Applications. Features • BVCEO > -60V • IC = -1A Continuous Collector Current • ICM = -2A Peak Pulse Current • Epitaxial Planar Die Construction • Ideal for Medium Power Amplifica 文件：383.15 Kbytes 页数：6 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DSS5160T_15	文件：117.83 Kbytes Page：6 Pages	60V LOW VCE(sat) PNP SURFACE MOUNT TRANSISTOR 文件：117.83 Kbytes 页数：6 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DSS5160TQ	文件：300 bytes Page：1 Pages	60V LOW VCE(SAT) PNP SURFACE MOUNT TRANSISTOR •BVCEO > -60V\n•IC = -1A Continuous Collector Current\n•ICM = -2A Peak Pulse Current;	Diodes 美台半导体	Diodes
DSS5160T-7	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3；包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS PNP 60V 1A SOT23-3	PAM 龙鼎微	PAM
DSS5160TQ-7	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3；包装：卷带（TR）类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS PNP 60V 1A SOT23-3	PAM 龙鼎微	PAM

技术参数

Automotive Compliant PPAP：
Yes
Product Type：
PNP
IC：
1 A
ICM：
3 A
PD：
0.725 W
hFE：
200 Min
hFE (@ IC)：
0.001 A
hFE (Min 2)：
100
hFE (@ IC2)：
1 A
VCE (SAT) Max：
175 mV
VCE (SAT) (@ IC/IB) (A/m A)：
0.1/1
VCE (SAT) (Max.2)：
340 mV
VCE (SAT) (@ IC/IB2) (A/m A)：
1/100
fT：
150 MHz
RCE(SAT)：
340 mΩ
Packages：
SOT23

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