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DSS5160T	文件：117.83 Kbytes Page：6 Pages	60V LOW VCE(sat) PNP SURFACE MOUNT TRANSISTOR Features •EpitaxialPlanarDieConstruction •IdealforMediumPowerAmplificationandSwitching •“LeadFree”,RoHSCompliant(Note1) •HalogenandAntimonyFree.GreenDevice(Note2) •QualifiedtoAEC-Q101StandardsforHighReliability	DIODESDiodes Incorporated 达尔科技	DIODES
DSS5160T-7	文件：117.83 Kbytes Page：6 Pages	60V LOW VCE(sat) PNP SURFACE MOUNT TRANSISTOR Features •EpitaxialPlanarDieConstruction •IdealforMediumPowerAmplificationandSwitching •“LeadFree”,RoHSCompliant(Note1) •HalogenandAntimonyFree.GreenDevice(Note2) •QualifiedtoAEC-Q101StandardsforHighReliability	DIODESDiodes Incorporated 达尔科技	DIODES
DSS5160TQ	文件：383.15 Kbytes Page：6 Pages	LOW VCE(SAT) PNP SURFACE MOUNT TRANSISTOR Description ThisBipolarJunctionTransistor(BJT)isdesignedtomeetthestringentrequirementsofAutomotiveApplications. Features •BVCEO>-60V •IC=-1AContinuousCollectorCurrent •ICM=-2APeakPulseCurrent •EpitaxialPlanarDieConstruction •IdealforMediumPowerAmplifica	DIODESDiodes Incorporated 达尔科技	DIODES
DSS5160TQ-7	文件：383.15 Kbytes Page：6 Pages	LOW VCE(SAT) PNP SURFACE MOUNT TRANSISTOR Description ThisBipolarJunctionTransistor(BJT)isdesignedtomeetthestringentrequirementsofAutomotiveApplications. Features •BVCEO>-60V •IC=-1AContinuousCollectorCurrent •ICM=-2APeakPulseCurrent •EpitaxialPlanarDieConstruction •IdealforMediumPowerAmplifica	DIODESDiodes Incorporated 达尔科技	DIODES
DSS5160T_15	文件：117.83 Kbytes Page：6 Pages	60V LOW VCE(sat) PNP SURFACE MOUNT TRANSISTOR	DIODESDiodes Incorporated 达尔科技	DIODES
DSS5160T-7	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带封装/外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS PNP 60V 1A SOT23-3	PAMDiodes Incorporated 龙鼎威	PAM
DSS5160TQ-7	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：卷带（TR）封装/外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS PNP 60V 1A SOT23-3	PAMDiodes Incorporated 龙鼎威	PAM
5160FI	文件：173.81 Kbytes Page：4 Pages	ELECTRICFUELPUMP	MALLORY Mallory Sonalert Products Inc.	MALLORY
5160HR	文件：140.36 Kbytes Page：3 Pages	RECTIFIERS DESCRIPTION Theseseriesofhighcurrentrectifiersoffersopportunityforsizeandweightreductioninhighpowersupplies. FEATURES •Rating:12A •ControlledAvalanche •MiniaturePackage •SurgeRating:200A	MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司	Microsemi
ACPL-5160	文件：2.20399 Mbytes Page：36 Pages	2.5-AmpGateDriveOptocouplerwithIntegrated(VCE)DesaturationDetectionandFaultStatusFeedback	BOARDCOMBroadcom Corporation. 博通公司博通半导体	BOARDCOM
ACPL-5160	文件：557.46 Kbytes Page：33 Pages	2.5AmpGateDriveOptocouplerwithIntegrated(VCE)DesaturationDetectionandFaultStatusFeedback	AVAGOAvago 安华高安华高科技	AVAGO
AD5160	文件：485.64 Kbytes Page：16 Pages	256-PositionSPI-CompatibleDigitalPotentiometer	ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司	AD
AD5160	文件：847.88 Kbytes Page：16 Pages	256-PositionSPICompatibleDigitalPotentiometer GENERALDESCRIPTION TheAD5160providesacompact2.9mm×3mmpackagedsolutionfor256-positionadjustmentapplications.Thesedevicesperformthesameelectronicadjustmentfunctionasmechanicalpotentiometers1orvariableresistorsbutwithenhancedresolution,solid-statereliability,and	ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司	AD
AD5160EVAL	文件：467.79 Kbytes Page：16 Pages	256-PositionSPI-CompatibleDigitalPotentiometer	ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司	AD
ADRF5160	文件：351.4 Kbytes Page：12 Pages	HighPower,88WPeak,SiliconSPDT,ReflectiveSwitch,0.7GHzto4.0GHz	ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司	AD
ADRF5160BCPZ	文件：351.4 Kbytes Page：12 Pages	HighPower,88WPeak,SiliconSPDT,ReflectiveSwitch,0.7GHzto4.0GHz	ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司	AD
ADRF5160-EVALZ	文件：351.4 Kbytes Page：12 Pages	HighPower,88WPeak,SiliconSPDT,ReflectiveSwitch,0.7GHzto4.0GHz	ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司	AD
AN5160	文件：2.43533 Mbytes Page：31 Pages	SEMICONDUCTORS	etc2List of Unclassifed Manufacturers etc2未分类制造商	etc2
AN5160NK	文件：2.43533 Mbytes Page：31 Pages	SEMICONDUCTORS	etc2List of Unclassifed Manufacturers etc2未分类制造商	etc2
AN5160NK	文件：184.38 Kbytes Page：3 Pages	VIFSIFVIDEOCOLORANDSYNCHRONOUSSIGNALPROCESSORIC ComingSoon. Ifyouhavesomeinformationonrelatedparts,pleaseshareusefulinformationbyaddinglinksbelow.	PanasonicPanasonic Corporation 松下松下电器	Panasonic

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详细参数

型号：
DSS5160T
功能描述：
MOSFET SS Low Sat Transisto SOT23 T&R 3K
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多DSS5160T供应商更新时间2024-5-21 16:03:00

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