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DSS5160T	文件：117.83 Kbytes Page：6 Pages	60V LOW VCE(sat) PNP SURFACE MOUNT TRANSISTOR Features •EpitaxialPlanarDieConstruction •IdealforMediumPowerAmplificationandSwitching •“LeadFree”,RoHSCompliant(Note1) •HalogenandAntimonyFree.GreenDevice(Note2) •QualifiedtoAEC-Q101StandardsforHighReliability	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
DSS5160T-7	文件：117.83 Kbytes Page：6 Pages	60V LOW VCE(sat) PNP SURFACE MOUNT TRANSISTOR Features •EpitaxialPlanarDieConstruction •IdealforMediumPowerAmplificationandSwitching •“LeadFree”,RoHSCompliant(Note1) •HalogenandAntimonyFree.GreenDevice(Note2) •QualifiedtoAEC-Q101StandardsforHighReliability	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
DSS5160TQ	文件：383.15 Kbytes Page：6 Pages	LOW VCE(SAT) PNP SURFACE MOUNT TRANSISTOR Description ThisBipolarJunctionTransistor(BJT)isdesignedtomeetthestringentrequirementsofAutomotiveApplications. Features •BVCEO>-60V •IC=-1AContinuousCollectorCurrent •ICM=-2APeakPulseCurrent •EpitaxialPlanarDieConstruction •IdealforMediumPowerAmplifica	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
DSS5160TQ-7	文件：383.15 Kbytes Page：6 Pages	LOW VCE(SAT) PNP SURFACE MOUNT TRANSISTOR Description ThisBipolarJunctionTransistor(BJT)isdesignedtomeetthestringentrequirementsofAutomotiveApplications. Features •BVCEO>-60V •IC=-1AContinuousCollectorCurrent •ICM=-2APeakPulseCurrent •EpitaxialPlanarDieConstruction •IdealforMediumPowerAmplifica	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
DSS5160T_15	文件：117.83 Kbytes Page：6 Pages	60V LOW VCE(sat) PNP SURFACE MOUNT TRANSISTOR	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
DSS5160T-7	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3；包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS PNP 60V 1A SOT23-3	PAMDiodes Incorporated 龙鼎微龙鼎微电子（上海）有限公司	PAM
DSS5160TQ-7	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3；包装：卷带（TR）类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS PNP 60V 1A SOT23-3	PAMDiodes Incorporated 龙鼎微龙鼎微电子（上海）有限公司	PAM

详细参数

型号：
DSS5160T
功能描述：
MOSFET SS Low Sat Transisto SOT23 T&R 3K
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多DSS5160T供应商更新时间2025-7-17 13:30:00

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