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DSS5160TQ-7分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个规格书PDF中文资料

| 厂商型号 |
DSS5160TQ-7 |
| 参数属性 | DSS5160TQ-7 封装/外壳为TO-236-3,SC-59,SOT-23-3;包装为卷带(TR);类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个;产品描述:TRANS PNP 60V 1A SOT23-3 |
| 功能描述 | LOW VCE(SAT) PNP SURFACE MOUNT TRANSISTOR |
| 封装外壳 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
| 文件大小 |
383.15 Kbytes |
| 页面数量 |
6 页 |
| 生产厂商 | DIODES |
| 中文名称 | 美台半导体 |
| 网址 | |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-11-30 23:00:00 |
| 人工找货 | DSS5160TQ-7价格和库存,欢迎联系客服免费人工找货 |
DSS5160TQ-7规格书详情
DSS5160TQ-7属于分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个。由美台半导体制造生产的DSS5160TQ-7晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个分立式双极结型晶体管 (BJT) 通常在音频、无线电及其他应用中用于构建模拟信号放大功能。作为大批量生产的第一批半导体器件之一,对于涉及高频开关和在大电流或高电压下工作的应用而言,它们的特性相比某些器件类型不占优势,但对于需要以极小的噪声和失真构建模拟信号的应用而言,它们仍然是首选技术。
描述 Description
This Bipolar Junction Transistor (BJT) is designed to meet the stringent requirements of Automotive Applications.
特性 Features
• BVCEO > -60V
• IC = -1A Continuous Collector Current
• ICM = -2A Peak Pulse Current
• Epitaxial Planar Die Construction
• Ideal for Medium Power Amplification and Switching
• Totally Lead-Free & Fully RoHS Compliant (Notes 1 & 2)
• Halogen and Antimony Free. Green Device (Note 3)
• Qualified to AEC-Q101 Standards for High Reliability
• PPAP Capable (Note 4)
产品属性
更多- 产品编号:
DSS5160TQ-7
- 制造商:
Diodes Incorporated
- 类别:
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个
- 系列:
Automotive, AEC-Q101
- 包装:
卷带(TR)
- 晶体管类型:
PNP
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):
340mV @ 100mA,1A
- 电流 - 集电极截止(最大值):
100nA(ICBO)
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):
200 @ 1mA,5V
- 频率 - 跃迁:
150MHz
- 工作温度:
-55°C ~ 150°C(TJ)
- 安装类型:
表面贴装型
- 封装/外壳:
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
- 供应商器件封装:
SOT-23-3
- 描述:
TRANS PNP 60V 1A SOT23-3
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
DIODES/美台 |
24+ |
NA/ |
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