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DSS2515M	文件：135.47 Kbytes Page：5 Pages	15V LOW VCE(sat) NPN SURFACE MOUNT TRANSISTOR Features • BVCEO > 15V • IC = 500mA High Collector Current • ICM = 1A Peak Pulse Current • PD = 1000mW Power Dissipation • Low Collector-Emitter Saturation Voltage, VCE(sat) • 0.60mm2 Package Footprint, 13 times Smaller than SOT23 • 0.5mm Height Package Minimizing Off-Board Profile • Compl 文件：135.47 Kbytes 页数：5 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DSS2515M-7	文件：135.47 Kbytes Page：5 Pages	15V LOW VCE(sat) NPN SURFACE MOUNT TRANSISTOR Features • BVCEO > 15V • IC = 500mA High Collector Current • ICM = 1A Peak Pulse Current • PD = 1000mW Power Dissipation • Low Collector-Emitter Saturation Voltage, VCE(sat) • 0.60mm2 Package Footprint, 13 times Smaller than SOT23 • 0.5mm Height Package Minimizing Off-Board Profile • Compl 文件：135.47 Kbytes 页数：5 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DSS2515M-7B	文件：135.47 Kbytes Page：5 Pages	15V LOW VCE(sat) NPN SURFACE MOUNT TRANSISTOR Features • BVCEO > 15V • IC = 500mA High Collector Current • ICM = 1A Peak Pulse Current • PD = 1000mW Power Dissipation • Low Collector-Emitter Saturation Voltage, VCE(sat) • 0.60mm2 Package Footprint, 13 times Smaller than SOT23 • 0.5mm Height Package Minimizing Off-Board Profile • Compl 文件：135.47 Kbytes 页数：5 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DSS2515M_15	文件：381.71 Kbytes Page：7 Pages	15V NPN LOW VCE(sat) TRANSISTOR IN DFN1006 文件：381.71 Kbytes 页数：7 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DSS2515M	文件：300 bytes Page：1 Pages	NPN, 15V, 0.5A, DFN1006-3	Diodes 美台半导体	Diodes
DSS2515M-7B	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：3-UFDFN；包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS NPN 15V 0.5A 3DFN	PAM 龙鼎微	PAM

技术参数

Compliance(Only Automotive supports PPAP)：
Standard
Polarity：
NPN
IC (A)：
0.5
ICM (A)：
1
PD (W)：
0.4
hFE (Min)：
150
hFE (@ IC) (A)：
0.1
hFE(Min 2)：
90
hFE (@ IC2) (A)：
0.5
VCE(sat) Max (mV)：
150
VCE(SAT) (@ IC/IB) (A/mA)：
0.2/10
VCE(sat) (Max.2) (mV)：
250
VCE(sat) (@ IC/IB2) (A/mA)：
0.5/50
fT (MHz)：
250
RCE(sat) (mΩ)：
500
Packages：
X1-DFN1006-3

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更多DSS2515M供应商更新时间2025-10-4 11:10:00

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