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DSS2515M-7B	文件：135.47 Kbytes Page：5 Pages	15V LOW VCE(sat) NPN SURFACE MOUNT TRANSISTOR Features •BVCEO>15V •IC=500mAHighCollectorCurrent •ICM=1APeakPulseCurrent •PD=1000mWPowerDissipation •LowCollector-EmitterSaturationVoltage,VCE(sat) •0.60mm2PackageFootprint,13timesSmallerthanSOT23 •0.5mmHeightPackageMinimizingOff-BoardProfile •Compl	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
DSS2515M-7B	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：3-UFDFN；包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS NPN 15V 0.5A 3DFN	PAMDiodes Incorporated 龙鼎微龙鼎微电子（上海）有限公司	PAM
DSS2515M-7	文件：135.47 Kbytes Page：5 Pages	15VLOWVCE(sat)NPNSURFACEMOUNTTRANSISTOR Features •BVCEO>15V •IC=500mAHighCollectorCurrent •ICM=1APeakPulseCurrent •PD=1000mWPowerDissipation •LowCollector-EmitterSaturationVoltage,VCE(sat) •0.60mm2PackageFootprint,13timesSmallerthanSOT23 •0.5mmHeightPackageMinimizingOff-BoardProfile •Compl	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES

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15V LOW VCE(sat) NPN SURFACE MOUNT TRANSISTOR

Features •BVCEO>15V •IC=500mAHighCollectorCurrent •ICM=1APeakPulseCurrent •PD=1000mWPowerDissipation •LowCollector-EmitterSaturationVoltage,VCE(sat) •0.60mm2PackageFootprint,13timesSmallerthanSOT23 •0.5mmHeightPackageMinimizingOff-BoardProfile •Compl

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DSS2515M-7B

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Package：3-UFDFN；包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS NPN 15V 0.5A 3DFN

PAMDiodes Incorporated

龙鼎微龙鼎微电子（上海）有限公司

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DIODES

产品属性

产品编号：
DSS2515M-7B
制造商：
Diodes Incorporated
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
包装：
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带
晶体管类型：
NPN
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
250mV @ 50mA，500mA
电流 - 集电极截止（最大值）：
100nA（ICBO）
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
150 @ 100mA，2V
频率 - 跃迁：
250MHz
工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
3-UFDFN
供应商器件封装：
X1-DFN1006-3
描述：
TRANS NPN 15V 0.5A 3DFN

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