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DSS2515M-7B

15V LOW VCE(sat) NPN SURFACE MOUNT TRANSISTOR

Features • BVCEO > 15V • IC = 500mA High Collector Current • ICM = 1A Peak Pulse Current • PD = 1000mW Power Dissipation • Low Collector-Emitter Saturation Voltage, VCE(sat) • 0.60mm2 Package Footprint, 13 times Smaller than SOT23 • 0.5mm Height Package Minimizing Off-Board Profile • Compl

文件:135.47 Kbytes 页数:5 Pages

DIODES

美台半导体

DSS2515M-7B

Package:3-UFDFN;包装:卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带 类别:分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个 描述:TRANS NPN 15V 0.5A 3DFN

DIODES

美台半导体

DSS2515M-7

15V LOW VCE(sat) NPN SURFACE MOUNT TRANSISTOR

Features • BVCEO > 15V • IC = 500mA High Collector Current • ICM = 1A Peak Pulse Current • PD = 1000mW Power Dissipation • Low Collector-Emitter Saturation Voltage, VCE(sat) • 0.60mm2 Package Footprint, 13 times Smaller than SOT23 • 0.5mm Height Package Minimizing Off-Board Profile • Compl

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DIODES

美台半导体

DSS4540X-13

sot89

DIODES/美台

DSS6NE52A222Q55B

DIP-3

MURATA/村田

上传:深圳市凌旭科技有限公司

MURATA/村田

产品属性

  • 产品编号:

    DSS2515M-7B

  • 制造商:

    Diodes Incorporated

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个

  • 包装:

    卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带

  • 晶体管类型:

    NPN

  • 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):

    250mV @ 50mA,500mA

  • 电流 - 集电极截止(最大值):

    100nA(ICBO)

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):

    150 @ 100mA,2V

  • 频率 - 跃迁:

    250MHz

  • 工作温度:

    -55°C ~ 150°C(TJ)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    3-UFDFN

  • 供应商器件封装:

    X1-DFN1006-3

  • 描述:

    TRANS NPN 15V 0.5A 3DFN

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
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更多DSS2515M-7B供应商 更新时间2026-1-31 17:25:00