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DSS60600MZ4-13	文件：105.21 Kbytes Page：5 Pages	LOW VCE(SAT) PNP SURFACE MOUNT TRANSISTOR Features •IdeallySuitedforAutomatedAssemblyProcesses •UltraLowCollector-EmitterSaturationVoltage •ComplementaryNPNTypeAvailable(DSS60601MZ4) •IdealforMediumPowerSwitchingorAmplificationApplications •TotallyLead-Free&FullyRoHSCompliant(Notes1&2) •Hal	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
DSS60600MZ4-13	文件：603.2 Kbytes Page：8 Pages	60V PNP LOW VCE(SAT) TRANSISTOR	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
DSS60600MZ4-13	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-261-4，TO-261AA；包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS PNP 60V 6A SOT223-3	PAMDiodes Incorporated 龙鼎微龙鼎微电子（上海）有限公司	PAM

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DSS60600MZ4-13

文件：105.21 Kbytes

Page：5 Pages

LOW VCE(SAT) PNP SURFACE MOUNT TRANSISTOR

Features •IdeallySuitedforAutomatedAssemblyProcesses •UltraLowCollector-EmitterSaturationVoltage •ComplementaryNPNTypeAvailable(DSS60601MZ4) •IdealforMediumPowerSwitchingorAmplificationApplications •TotallyLead-Free&FullyRoHSCompliant(Notes1&2) •Hal

DIODESDiodes Incorporated

美台半导体

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DSS60600MZ4-13

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60V PNP LOW VCE(SAT) TRANSISTOR

DIODESDiodes Incorporated

美台半导体

DIODES

DSS60600MZ4-13

文件：100 bytes

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Package：TO-261-4，TO-261AA；包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS PNP 60V 6A SOT223-3

PAMDiodes Incorporated

龙鼎微龙鼎微电子（上海）有限公司

PAM

产品属性

产品编号：
DSS60600MZ4-13
制造商：
Diodes Incorporated
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
包装：
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带
晶体管类型：
PNP
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
350mV @ 600mA，6A
电流 - 集电极截止（最大值）：
100nA（ICBO）
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
120 @ 1A，2V
频率 - 跃迁：
100MHz
工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
TO-261-4，TO-261AA
供应商器件封装：
SOT-223-3
描述：
TRANS PNP 60V 6A SOT223-3

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
中天科工半导体（深圳）有限公司	DSS60600MZ4-13	DIODES/美台	25+	SOT-223	34331	DIODES/美台全新特价DSS60600MZ4-13即刻询购立享优惠#长期有货	询价
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