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DSS5140V-7	文件：122.84 Kbytes Page：5 Pages	LOW VCE(SAT) PNP SURFACE MOUNT TRANSISTOR Features •EpitaxialPlanarDieConstruction •ComplementaryNPNTypeAvailable(DSS4140V) •LowCollector-EmitterSaturationVoltage,VCE(SAT) •SurfaceMountPackageSuitedforAutomatedAssembly •Ultra-SmallSurfaceMountPackage •LeadFree/RoHSCompliant(Note1) •GreenDevice(Note	DIODESDiodes Incorporated 达尔科技	DIODES
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制造商&上传企业

LOGO

DSS5140V-7

文件：122.84 Kbytes

Page：5 Pages

LOW VCE(SAT) PNP SURFACE MOUNT TRANSISTOR

Features •EpitaxialPlanarDieConstruction •ComplementaryNPNTypeAvailable(DSS4140V) •LowCollector-EmitterSaturationVoltage,VCE(SAT) •SurfaceMountPackageSuitedforAutomatedAssembly •Ultra-SmallSurfaceMountPackage •LeadFree/RoHSCompliant(Note1) •GreenDevice(Note

DIODESDiodes Incorporated

达尔科技

DIODES

DSS5140V-7

文件：100 bytes

Page：1 Pages

包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带封装/外壳：SOT-563，SOT-666 类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS PNP 40V 1A SOT563

PAMDiodes Incorporated

龙鼎威

PAM

产品属性

产品编号：
DSS5140V-7
制造商：
Diodes Incorporated
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
包装：
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带
晶体管类型：
PNP
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
310mV @ 100mA，1A
电流 - 集电极截止（最大值）：
100nA
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
300 @ 100mA，5V
频率 - 跃迁：
150MHz
工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
SOT-563，SOT-666
供应商器件封装：
SOT-563
描述：
TRANS PNP 40V 1A SOT563

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更多DSS5140V-7供应商更新时间2024-4-30 15:14:00

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