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DSS4160U-7	文件：173.45 Kbytes Page：5 Pages	LOW VCE(SAT) NPN SURFACE MOUNT TRANSISTOR Features •EpitaxialPlanarDieConstruction •LowCollector-EmitterSaturationVoltage,VCE(SAT) •ComplementaryPNPTypeAvailable(DSS5160U) •Ultra-SmallSurfaceMountPackage •LeadFreeByDesign/RoHSCompliant(Note1) •GreenDevice(Note2)	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
DSS4160U-7	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：SC-70，SOT-323；包装：卷带（TR）类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS NPN 60V 1A SOT323	PAMDiodes Incorporated 龙鼎微龙鼎微电子（上海）有限公司	PAM

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DSS4160U-7

文件：173.45 Kbytes

Page：5 Pages

LOW VCE(SAT) NPN SURFACE MOUNT TRANSISTOR

Features •EpitaxialPlanarDieConstruction •LowCollector-EmitterSaturationVoltage,VCE(SAT) •ComplementaryPNPTypeAvailable(DSS5160U) •Ultra-SmallSurfaceMountPackage •LeadFreeByDesign/RoHSCompliant(Note1) •GreenDevice(Note2)

DIODESDiodes Incorporated

美台半导体

DIODES

DSS4160U-7

文件：100 bytes

Page：1 Pages

Package：SC-70，SOT-323；包装：卷带（TR）类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS NPN 60V 1A SOT323

PAMDiodes Incorporated

龙鼎微龙鼎微电子（上海）有限公司

PAM

产品属性

产品编号：
DSS4160U-7
制造商：
Diodes Incorporated
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
包装：
卷带（TR）
晶体管类型：
NPN
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
280mV @ 100mA，1A
电流 - 集电极截止（最大值）：
100nA
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
200 @ 500mA，5V
频率 - 跃迁：
150MHz
工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
SC-70，SOT-323
供应商器件封装：
SOT-323
描述：
TRANS NPN 60V 1A SOT323

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更多DSS4160U-7供应商更新时间2025-7-23 18:10:00

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