STANDARD RECOVERY DIODE

FEATURES ➤ Wide current range ➤ High voltage ratings up to 6000 V ➤ High surge current capabilities ➤ Diffused junction TYPICAL APPLICATIONS ➤ Converters ➤ Power supplies ➤ Machine tool controls ➤ High power drives ➤ Medium traction applications

文件：464.09 Kbytes 页数：5 Pages

IRI

DiskStation DS2015xs

●● Excellent performance of 1,930.18 MB/s sequential read throughput and 54,654.84 sequential read IOPS1 ●● 2 x 10Gbps SFP+ ports and 2 x 1Gbps RJ-45 ports with Failover and Link Aggregation support ●● Scale up to 20 drives with Synology DX12152 ●● Expandable RAM module (up to 8GB) ●●

文件：1.20835 Mbytes 页数：4 Pages

SYNOLOGY

群晖科技

2k x 8 3V/5V Operation Static RAM

DESCRIPTION The DS2016 2k x 8 3V/5V Operation Static RAM is a 16,384-bit, low-power, fully static random access memory organized as 2048 words by 8 bits using CMOS technology. The device operates from a single power supply with a voltage input between 2.7 and 5.5 volts. The chip enable input ( CE

文件：254.16 Kbytes 页数：9 Pages

DALLAS

2k x 8 3V/5V Operation Static RAM

DESCRIPTION The DS2016 2k x 8 3V/5V Operation Static RAM is a 16,384-bit, low-power, fully static random access memory organized as 2048 words by 8 bits using CMOS technology. The device operates from a single power supply with a voltage input between 2.7 and 5.5 volts. The chip enable input ( CE

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DALLAS

2k x 8 3V/5V Operation Static RAM

DESCRIPTION The DS2016 2k x 8 3V/5V Operation Static RAM is a 16,384-bit, low-power, fully static random access memory organized as 2048 words by 8 bits using CMOS technology. The device operates from a single power supply with a voltage input between 2.7 and 5.5 volts. The chip enable input ( CE

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DALLAS

2k x 8 3V/5V Operation Static RAM

文件：168.29 Kbytes 页数：8 Pages

MAXIM

美信

可编程直流电源

DS2000系列开关式可编程直流电源是采用PWM技术的高频开关式直流电源，模块化设计，采用先进的DSP数字控制技术，具有恒压、恒流、恒功率模式输出，可自动交叉变换，维持控制与保护兼顾特性，确保直流电源输出的高精度、低纹波、电压电流动态响应速度快，且效率高达93%；与传统的可控硅电源相比较，高频开关式直流电源具有体积小，重量轻，纹波小，功率因数高、稳定性好等优点，特别是高电压输出稳定性尤其明显；产品主要定位于电子电力生产、蓄电池行业、PCB板制造行业及通讯、PLC供电、机电老化试验、直流电机测试、自动测试系统整合、电池充电及模拟、混合动力汽车与光伏逆变器测试研究单位、实验室对高精度直流电 ◇采用高速DSP进行PID运算,直接输出PWM,模块化设计，高功率密度、体积小、大大降低故障率;\n◇控制电路采用高速CPU,稳压精度高，纹波小;\n◇采用16bit高速ADC,快速精确测量电压、电流值;\n◇具有恒压、恒流、恒功率模式输出，可自动交叉变换，维持控制与保护兼顾特性;\n◇具有过压、过流、过温、短路保护功能，在系统中，可开启过压(OVP),过流(OCP),并可对数值进行修改;\n◇具有9组记忆，可以将常用的参数(电压、电流)设定，方便使用时调用，一次可执行100组不同电压、电流、 \n◇功率、上升时间、运行时间设定，并可连续做999999次循环测试。运行时间最短可以设定;

JETHLEY

吉事励电子

2k x 8、工作于3V/5V的静态RAM

DS2016 2k x 8 3V/5V供电静态RAM是16,384位、低功耗、全静态随机访问存储器，采用CMOS技术以8位为单位分为2048个字。该器件工作在单电源下，具有2.7V至5.5V的输入电压。芯片使能输入(/CE)用于选择器件，可启动最低待机电流模式，满足电池供电和电池备份应用的需求。当采用5V电源供电时，该器件提供100ns快速访问时间，而采用3V输入时，则具有250ns的性能相对优异的访问时间。当输入电压介于2.7V至5.5V时，器件保持TTL电平输入和输出。DS2016是一款JEDEC标准2k x 8 SRAM，与相似容量的ROM和EPROM引脚兼容。 \n• 低功耗CMOS设计 \n• 待机电流 \n• tA = 25°C，VCC = 3.0V时，最大50nA \n• tA = 25°C，VCC = 5.5V时，最大100nA \n• tA = +60°C，VCC = 5.5V时，最大1µA \n• 电源工作范围VCC = 5.5V至2.7V \n• 数据保持电压为：5.5V至2.0V \n• 快速的5V访问时间 \n• DS2016-100 100ns \n• 降速的3V访问时间 \n• DS2016-100 250ns \n• -40°C至+85°C工作温度范围 \n• 全静态工作 \n• 5.5V至2.7V电压范围的输入和输出,与TT;

ADI

亚德诺

Rectifier Diode

Dynex

丹尼克斯

Package：24-DIP（0.600"，15.24mm）；包装：托盘 类别：集成电路（IC） 存储器 描述：IC SRAM 16KBIT PARALLEL 24DIP

AD

亚德诺