2k x 8 3V/5V Operation Static RAM

DESCRIPTION The DS2016 2k x 8 3V/5V Operation Static RAM is a 16,384-bit, low-power, fully static random access memory organized as 2048 words by 8 bits using CMOS technology. The device operates from a single power supply with a voltage input between 2.7 and 5.5 volts. The chip enable input ( CE

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2k x 8 3V/5V Operation Static RAM

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2k x 8、工作于3V/5V的静态RAM

DS2016 2k x 8 3V/5V供电静态RAM是16,384位、低功耗、全静态随机访问存储器，采用CMOS技术以8位为单位分为2048个字。该器件工作在单电源下，具有2.7V至5.5V的输入电压。芯片使能输入(/CE)用于选择器件，可启动最低待机电流模式，满足电池供电和电池备份应用的需求。当采用5V电源供电时，该器件提供100ns快速访问时间，而采用3V输入时，则具有250ns的性能相对优异的访问时间。当输入电压介于2.7V至5.5V时，器件保持TTL电平输入和输出。DS2016是一款JEDEC标准2k x 8 SRAM，与相似容量的ROM和EPROM引脚兼容。 \n• 低功耗CMOS设计 \n• 待机电流 \n• tA = 25°C，VCC = 3.0V时，最大50nA \n• tA = 25°C，VCC = 5.5V时，最大100nA \n• tA = +60°C，VCC = 5.5V时，最大1µA \n• 电源工作范围VCC = 5.5V至2.7V \n• 数据保持电压为：5.5V至2.0V \n• 快速的5V访问时间 \n• DS2016-100 100ns \n• 降速的3V访问时间 \n• DS2016-100 250ns \n• -40°C至+85°C工作温度范围 \n• 全静态工作 \n• 5.5V至2.7V电压范围的输入和输出,与TT;

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2k x 8 3V/5V Operation Static RAM

DESCRIPTION The DS2016 2k x 8 3V/5V Operation Static RAM is a 16,384-bit, low-power, fully static random access memory organized as 2048 words by 8 bits using CMOS technology. The device operates from a single power supply with a voltage input between 2.7 and 5.5 volts. The chip enable input ( CE

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2k x 8 3V/5V Operation Static RAM

DESCRIPTION The DS2016 2k x 8 3V/5V Operation Static RAM is a 16,384-bit, low-power, fully static random access memory organized as 2048 words by 8 bits using CMOS technology. The device operates from a single power supply with a voltage input between 2.7 and 5.5 volts. The chip enable input ( CE

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Package：24-DIP（0.600"，15.24mm）；包装：托盘 类别：集成电路（IC） 存储器 描述：IC SRAM 16KBIT PARALLEL 24DIP

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Package：24-DIP（0.600"，15.24mm）；包装：管件 类别：集成电路（IC） 存储器 描述：IC SRAM 16KBIT PARALLEL 24DIP

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Package：24-SOIC（0.295"，7.50mm 宽）；包装：管件 类别：集成电路（IC） 存储器 描述：IC SRAM 16KBIT PARALLEL 24SOIC

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