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DS2016-100	文件：254.16 Kbytes Page：9 Pages	2k x 8 3V/5V Operation Static RAM DESCRIPTION The DS2016 2k x 8 3V/5V Operation Static RAM is a 16,384-bit, low-power, fully static random access memory organized as 2048 words by 8 bits using CMOS technology. The device operates from a single power supply with a voltage input between 2.7 and 5.5 volts. The chip enable input ( CE 文件：254.16 Kbytes 页数：9 Pages	Dallas	Dallas
DS2016-100	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：24-DIP（0.600"，15.24mm）；包装：管件类别：集成电路（IC）存储器描述：IC SRAM 16KBIT PARALLEL 24DIP	AD 亚德诺	AD
DS2016-100+	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：24-DIP（0.600"，15.24mm）；包装：托盘类别：集成电路（IC）存储器描述：IC SRAM 16KBIT PARALLEL 24DIP	AD 亚德诺	AD
SRU2016-100Y	文件：281.72 Kbytes Page：2 Pages	Shielded SMD Power Inductors 文件：281.72 Kbytes 页数：2 Pages	Bourns 伯恩斯	Bourns
SRU2016-100Y	文件：252.17 Kbytes Page：2 Pages	Shielded SMD Power Inductors 文件：252.17 Kbytes 页数：2 Pages	Bourns 伯恩斯	Bourns

更多DS2016-100供应商更新时间2025-10-6 10:34:00