DS2016数据手册集成电路（IC）的存储器规格书PDF

描述 Description

DS2016 2k x 8 3V/5V供电静态RAM是16,384位、低功耗、全静态随机访问存储器，采用CMOS技术以8位为单位分为2048个字。该器件工作在单电源下，具有2.7V至5.5V的输入电压。芯片使能输入(/CE)用于选择器件，可启动最低待机电流模式，满足电池供电和电池备份应用的需求。当采用5V电源供电时，该器件提供100ns快速访问时间，而采用3V输入时，则具有250ns的性能相对优异的访问时间。当输入电压介于2.7V至5.5V时，器件保持TTL电平输入和输出。DS2016是一款JEDEC标准2k x 8 SRAM，与相似容量的ROM和EPROM引脚兼容。

特性 Features

• 低功耗CMOS设计
• 待机电流
• tA = 25°C，VCC = 3.0V时，最大50nA
• tA = 25°C，VCC = 5.5V时，最大100nA
• tA = +60°C，VCC = 5.5V时，最大1µA
• 电源工作范围VCC = 5.5V至2.7V
• 数据保持电压为：5.5V至2.0V
• 快速的5V访问时间
• DS2016-100 100ns
• 降速的3V访问时间
• DS2016-100 250ns
• -40°C至+85°C工作温度范围
• 全静态工作
• 5.5V至2.7V电压范围的输入和输出,与TTL电平兼容的
• 采用24引脚DIP封装和24引脚SO封装
• 尤其适合于电池供电和备份电池的应用

简介

DS2016属于集成电路（IC）的存储器。由制造生产的DS2016存储器存储器是集成电路上用作数据存储设备的半导体器件。这些器件分为非易失性或易失性两种，格式包括 CBRAM、DRAM、EEPROM、EERAM、EPROM、闪存、FRAM、NVSRAM、PCM (PRAM)、PSRAM、RAM 和 SRAM。这些器件的存储容量为 64 b 至 6 Tb 不等，接口有 I2C、MMC、并行、eMMC、串行、单线、SPI、UFS、Xccela 总线和 1-线。