3.3V Single-Piece 8Mb Nonvolatile SRAM

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Maxim

美信

3.3V Single-Piece 8Mb Nonvolatile SRAM

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3.3V、单芯片、8Mb非易失SRAM

DS2065W是8Mb可回流焊的非易失(NV) SRAM，由静态RAM (SRAM)、NV控制器、内部可充电锰锂(ML)电池组成。这些元件可以封装在256焊球、BGA表贴模块中。只要VCC作用到模块上，就对ML电池充电，利用外部电源为SRAM供电，并允许修改SRAM的内容。VCC断电或超出容许范围时，控制器对SRAM的内容写保护，并用电池为SRAM供电。DS2065W还包含电源监视输出/RST，可以用作微处理器的CPU监控。 \n• 单片、可回流焊接的27mm x 27mm BGA封装 \n• 内置ML电池与充电器 \n• VCC超出容许范围时无条件写保护SRAM \n• 出现VCC电源故障时，自动切换到电池供电 \n• 内置电源监视器，用来检测低于VCC标称值(3.3V)的电源故障 \n• 复位输出可用作微处理器的CPU监视器 \n• 工业级温度范围(-40°C至+85°C);

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亚德诺

Package：256-BGA；包装：托盘 类别：集成电路（IC） 存储器 描述：IC NVSRAM 8MBIT PARALLEL 256BGA

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