DS2065W中文资料3.3V、单芯片、8Mb非易失SRAM数据手册ADI规格书
DS2065W规格书详情
描述 Description
DS2065W是8Mb可回流焊的非易失(NV) SRAM，由静态RAM (SRAM)、NV控制器、内部可充电锰锂(ML)电池组成。这些元件可以封装在256焊球、BGA表贴模块中。只要VCC作用到模块上，就对ML电池充电，利用外部电源为SRAM供电，并允许修改SRAM的内容。VCC断电或超出容许范围时，控制器对SRAM的内容写保护，并用电池为SRAM供电。DS2065W还包含电源监视输出/RST，可以用作微处理器的CPU监控。
特性 Features
• 单片、可回流焊接的27mm x 27mm BGA封装
• 内置ML电池与充电器
• VCC超出容许范围时无条件写保护SRAM
• 出现VCC电源故障时，自动切换到电池供电
• 内置电源监视器，用来检测低于VCC标称值(3.3V)的电源故障
• 复位输出可用作微处理器的CPU监视器
• 工业级温度范围(-40°C至+85°C)
应用 Application
• 数据采集系统
• 烟雾报警器
• 游戏机PLC
• 工业控制器
• POS终端
• RAID系统和服务器
• 路由器/交换机
简介
DS2065W属于集成电路（IC）的存储器。由制造生产的DS2065W存储器存储器是集成电路上用作数据存储设备的半导体器件。这些器件分为非易失性或易失性两种，格式包括 CBRAM、DRAM、EEPROM、EERAM、EPROM、闪存、FRAM、NVSRAM、PCM (PRAM)、PSRAM、RAM 和 SRAM。这些器件的存储容量为 64 b 至 6 Tb 不等，接口有 I2C、MMC、并行、eMMC、串行、单线、SPI、UFS、Xccela 总线和 1-线。
技术参数
更多- 产品编号：
DS2065W-100
- 制造商：
Analog Devices Inc./Maxim Integrated
- 类别：
集成电路（IC） > 存储器
- 包装：
托盘
- 存储器类型：
非易失
- 存储器格式：
NVSRAM
- 技术：
NVSRAM（非易失性 SRAM）
- 存储容量：
8Mb（1M x 8）
- 存储器接口：
并联
- 写周期时间 - 字，页：
100ns
- 电压 - 供电：
3V ~ 3.6V
- 工作温度：
-40°C ~ 85°C（TA）
- 安装类型：
表面贴装型
- 封装/外壳：
256-BGA
- 供应商器件封装：
256-BGA（27x27）
- 描述：
IC NVSRAM 8MBIT PARALLEL 256BGA
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