4096k Nonvolatile SRAM with Battery Monitor

DESCRIPTION The DS1350 4096k Nonvolatile SRAMs are 4,194,304-bit, fully static, nonvolatile SRAMs organized as 524,288 words by 8 bits. Each NV SRAM has a self-contained lithium energy source and control circuitry which constantly monitors VCC for an out-of-tolerance condition. When such a condit

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3.3V 4096k Nonvolatile SRAM with Battery Monitor

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4096k非易失SRAM，带有电池监测器

DS1350 4096k非易失(NV) SRAM为4,194,304位、全静态NV SRAM，按照8位、524,288字排列。每个NV SRAM均自带锂电池及控制电路，控制电路连续监视VCC是否超出容差范围，一旦超出容差范围，锂电池便自动切换至供电状态、写保护将无条件使能、防止数据被破坏。此外，DS1350器件具有监视VCC状态和内部锂电池状态的专用电路。PowerCap模块封装的DS1350器件可以直接表面贴安装、通常与DS9034PC PowerCap配合构成一个完整的非易失SRAM模块。可用来替代512k x 8 SRAM、EEPROM或闪存器件。 • 在没有外部电源的情况下最少可以保存数据10年 \n• 掉电期间数据被自动保护 \n• 当VCC电压跌落时，电源监视器能够复位处理器、并在VCC上升期间持续保持处理器的复位状态 \n• 电池监视器核查剩余电量 \n• 70ns的读写存取时间 \n• 没有写次数限制 \n• 典型待机电流50µA \n• 可升级512k x 8 SRAM、EEPROM或闪存 \n• 第一次上电前，锂电池与电路断开、维持保鲜状态 \n• ±10% VCC工作范围(DS1350Y)或±5% VCC工作范围(DS1350AB) \n• 可选的-40°C至+85°C工业级温度范围，指定为IND \n• ;

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