3.3V 4096K Nonvolatile SRAM with Battery Monitor

DESCRIPTION The DS1350W 3.3V 4096K Nonvolatile SRAM is a 4,194,304–bit, fully static, nonvolatile SRAM organized as 524,288 words by eight bits. Each NV SRAM has a self–contained lithium energy source and control circuitry which constantly monitors VCC for an out–of–tolerance condition. When such

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3.3V 4096k Nonvolatile SRAM with Battery Monitor

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3.3V 4096K Nonvolatile SRAM with Battery Monitor

DESCRIPTION The DS1350W 3.3V 4096K Nonvolatile SRAM is a 4,194,304–bit, fully static, nonvolatile SRAM organized as 524,288 words by eight bits. Each NV SRAM has a self–contained lithium energy source and control circuitry which constantly monitors VCC for an out–of–tolerance condition. When such

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3.3V 4096K Nonvolatile SRAM with Battery Monitor

DESCRIPTION The DS1350W 3.3V 4096K Nonvolatile SRAM is a 4,194,304–bit, fully static, nonvolatile SRAM organized as 524,288 words by eight bits. Each NV SRAM has a self–contained lithium energy source and control circuitry which constantly monitors VCC for an out–of–tolerance condition. When such

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3.3V、4096K非易失SRAM，带有电池监测器

DS1350W 3.3V、4096k非易失SRAM为4,194,304位、全静态非易失SRAM，按照8位、524,288字排列。每个NV SRAM均自带锂电池及控制电路，控制电路连续监视VCC是否超出容差范围，一旦超出容差范围，锂电池便自动切换至供电状态、写保护将无条件使能、防止数据被破坏。此外，DS1350W器件具有监视VCC状态和内部锂电池状态的专用电路。PowerCap模块封装的DS1350W器件可以直接表面贴安装、通常与DS9034PC PowerCap配合构成一个完整的非易失SRAM模块。可用来替代512k x 8 SRAM、EEPROM或闪存器件。\n\n • 在没有外部电源的情况下最少可以保存数据10年\n• 当VCC电压跌落时，电源监视器能够复位处理器、并在VCC上升期间持续保持处理器的复位状态\n• 100ns的读写存取时间 \n• 典型待机电流50µA\n• 第一次上电前，锂电池与电路断开、维持保鲜状态\n• PowerCap模块(PCM)封装\n• 可更换的即时安装PowerCap提供备份锂电池 \n• 分离的PowerCap用常规的螺丝起子便可方便拆卸;

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Package：34-PowerCap™ 模块；包装：管件 类别：集成电路（IC） 存储器 描述：IC NVSRAM 4MBIT PAR 34PWRCAP

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Package：34-PowerCap™ 模块；包装：卷带（TR） 类别：集成电路（IC） 存储器 描述：IC NVSRAM 4M PARALLEL 34PWRCAP

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Package：34-PowerCap™ 模块；包装：管件 类别：集成电路（IC） 存储器 描述：IC NVSRAM 4MBIT PAR 34PWRCAP

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