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HLMP-1302	文件：260.769 Kbytes Page：4 Pages	DIFFUSEDT-100SOLIDSTATELAMPS	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
HLMP-1302	文件：179.96 Kbytes Page：6 Pages	T-1(3mm)DiffusedLEDLamps Description ThisfamilyofT-1lampsiswidelyusedingeneralpurposeindicatorapplications.Diffusants,tints,andopticaldesignarebalancedtoyieldsuperiorlightoutputandwideviewingangles.Severalintensitychoicesareavailableineachcolorforincreaseddesignflexibility.	HPAgilent(Hewlett-Packard) 安捷伦科技安捷伦科技有限公司	HP
HM1302	文件：3.49027 Mbytes Page：10 Pages	realtimecountingseconds,minutes,hours,dayofthemonth	HMSEMIShenzhen Huazhimei Semiconductor Co., Ltd 华之美半导体深圳市华之美半导体有限公司	HMSEMI
HX1302FNL	文件：454.69 Kbytes Page：3 Pages	MDL,SIN,100D,1:1,SM,TU	pulse Pulse A Technitrol Company	pulse
HX1302NL	文件：301.63 Kbytes Page：3 Pages	MDL,SIN,100D,1:1,SMT	pulse Pulse A Technitrol Company	pulse
HY1302S	文件：1.45035 Mbytes Page：11 Pages	N-ChannelEnhancementModeMOSFET	HUAYIHUAYI MICROELECTRONICS CO.,LTD. 华羿微电华羿微电子股份有限公司	HUAYI
IRF1302	文件：523.539 Kbytes Page：9 Pages	PowerMOSFET(Vdss=20V,Rds(on)=4.0mohm,Id=180A?? Description SpecificallydesignedforAutomotiveapplications,thisStripePlanardesignofHEXFET®PowerMOSFETutilizesthelastestprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Additionalfeaturesofthisdesignarea175°Cjunctionoperatingtemperature,fast	IRF International Rectifier	IRF
IRF1302L	文件：229.09 Kbytes Page：11 Pages	PowerMOSFET(Vdss=20V,Rds(on)=4.0mohm,Id=174A?? Description SpecificallydesignedforAutomotiveapplications,thisStripePlanardesignofHEXFET®PowerMOSFETutilizesthelastestprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Additionalfeaturesofthisdesignarea175°Cjunctionoperatingtemperature,fast	IRF International Rectifier	IRF
IRF1302PBF	文件：165.37 Kbytes Page：10 Pages	AUTOMOTIVEMOSFET(VDSS=20V,RDS(on)=4.0m廓,ID=180A)	IRF International Rectifier	IRF
IRF1302S	文件：229.09 Kbytes Page：11 Pages	PowerMOSFET(Vdss=20V,Rds(on)=4.0mohm,Id=174A?? Description SpecificallydesignedforAutomotiveapplications,thisStripePlanardesignofHEXFET®PowerMOSFETutilizesthelastestprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Additionalfeaturesofthisdesignarea175°Cjunctionoperatingtemperature,fast	IRF International Rectifier	IRF

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产品属性

产品编号：
DS1302ZN/T&R
制造商：
Analog Devices Inc./Maxim Integrated
类别：
集成电路（IC） > 实时时钟
包装：
管件
类型：
时钟/日历
特性：
闰年，NVSRAM，涓流充电器
存储容量：
31B
时间格式：
HH：MM：SS（12/24 小时）
日期格式：
YY-MM-DD-dd
接口：
3 线串口
电压 - 供电：
2V ~ 5.5V
电压 - 供电，电池：
2V ~ 5.5V
电流 - 计时（最大值）：
0.3µA ~ 1µA @ 2V ~ 5V
工作温度：
-40°C ~ 85°C
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
供应商器件封装：
8-SOIC
描述：
IC RTC CLK/CALENDAR SER 8-SOIC

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