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ISF1302	文件：454.67 Kbytes Page：2 Pages	N-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=100A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=500V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=49mΩ(Max)@VGS=10V APPLICATIONS ·SwitchModePowerSupply(SMPS) ·UninterruptiblePowerSupply(UPS) ·PowerFactorCorrection(PFC)	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
KI1302DL	文件：58.78 Kbytes Page：2 Pages	N-Channel30-V(D-S)MOSFET	KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd 科信电子广东科信实业有限公司	KEXIN
KRF1302S	文件：76.96 Kbytes Page：2 Pages	HEXFETPowerMOSFET	KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd 科信电子广东科信实业有限公司	KEXIN
KTD1302	文件：204.21 Kbytes Page：2 Pages	EPITAXIALPLANARNPNTRANSISTOR(AUDIOMUTING) AUDIOMUTINGAPPLICATION. FEATURES •HighEmitter-BaseVoltage:VEBO=12V(Min.). •HighReversehFE:ReversehFE=20(Min.)(VCE=2V,IC=4mA). •LowonResistance:RON=0.6ή(Typ.)(IB=1mA).	KECKEC CORPORATION KEC株式会社	KEC
KTD1302	文件：462 Kbytes Page：1 Pages	TRANSISTOR(NPN) FEATURES ●SmallFlatPackage ●AudioMutingApplication ●HighEmitter-BaseVoltage	HTSEMIShenzhen Jin Yu Semiconductor Co., Ltd. 金誉半导体深圳市金誉半导体股份有限公司	HTSEMI
KTD1302	文件：1.2369 Mbytes Page：3 Pages	SOT-89-3LPlastic-EncapsulateTransistors TRANSISTOR(NPN) FEATURES ●SmallFlatPackage ●AudioMutingApplication ●HighEmitter-BaseVoltage	JIANGSUJiangsu Changjiang Electronics Technology Co., Ltd 长电科技江苏长电科技股份有限公司	JIANGSU
KTD1302	文件：334.34 Kbytes Page：1 Pages	NPNTransistors ■Features ●SmallFlatPackage ●AudioMutingApplication ●HighEmitter-BaseVoltage	KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd 科信电子广东科信实业有限公司	KEXIN
KTD1302	文件：828.04 Kbytes Page：6 Pages	SiliconNPNtransistorinaTO-92PlasticPackage Descriptions SiliconNPNtransistorinaTO-92PlasticPackage. Features LowonResistance:Ron=0.6Ω(Typ.)(IB=1.0mA). Applications Audiomutingapplications.	FOSHANFoshan Blue Rocket Electronics Co.,Ltd. 蓝箭电子佛山市蓝箭电子股份有限公司	FOSHAN
KTD1302	文件：1.53177 Mbytes Page：3 Pages	SOT-89-3LPlastic-EncapsulateTransistors FEATURES SmallFlatPackage AudioMutingApplication HighEmitter-BaseVoltage	DGNJDZNanjing International Group Co 南晶电子东莞市南晶电子有限公司	DGNJDZ

产品属性

产品编号：
DS1302ZN/T&R
制造商：
Analog Devices Inc./Maxim Integrated
类别：
集成电路（IC） > 实时时钟
包装：
管件
类型：
时钟/日历
特性：
闰年，NVSRAM，涓流充电器
存储容量：
31B
时间格式：
HH：MM：SS（12/24 小时）
日期格式：
YY-MM-DD-dd
接口：
3 线串口
电压 - 供电：
2V ~ 5.5V
电压 - 供电，电池：
2V ~ 5.5V
电流 - 计时（最大值）：
0.3µA ~ 1µA @ 2V ~ 5V
工作温度：
-40°C ~ 85°C
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
供应商器件封装：
8-SOIC
描述：
IC RTC CLK/CALENDAR SER 8-SOIC

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