2048k Nonvolatile SRAM

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Maxim

美信

2048k Nonvolatile SRAM

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2048k非易失SRAM

DS1249 2048k非易失(NV) SRAM为2,097,152位、全静态非易失SRAM，按照8位、262,144字排列。每个NV SRAM均自带锂电池及控制电路，控制电路连续监视VCC是否超出容差范围，一旦超出容差范围，锂电池便自动切换至供电状态、写保护将无条件使能、防止数据被破坏。该器件没有写次数限制，可直接与微处理器接口、不需要额外的支持电路。 • 在没有外部电源的情况下最少可以保存数据10年\n• 掉电期间数据被自动保护\n• 没有写次数限制\n• 低功耗CMOS操作 \n• 70ns的读写存取时间 \n• 第一次上电前，锂电池与电路断开、维持保鲜状态\n• ±10% VCC工作范围(DS1249Y) \n• 可选择±5% VCC工作范围(DS1249AB)\n• 可选的-40°C至+85°C工业级温度范围，指定为IND\n• JEDEC标准的32引脚DIP封装;

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3.3V、2048kb非易失SRAM

DS1249W 2048kb非易失(NV) SRAM为2,097,152位、全静态NV SRAM，按照8位、262,144字排列。每个NV SRAM均自带锂电池及控制电路，控制电路连续监视VCC是否超出容差范围，一旦超出容差范围，锂电池便自动切换至供电状态、写保护将无条件使能、防止数据被破坏。该器件没有写次数限制，可直接与微处理器接口、不需要额外的支持电路。 • 在没有外部电源的情况下最少可以保存数据10年 \n• 掉电期间数据被自动保护 \n• 没有写次数限制 \n• 低功耗CMOS操作 \n• 100ns的读写存取时间 \n• 第一次上电前，锂电池与电路断开、维持保鲜状态 \n• 可选的-40°C至+85°C工业级温度范围，指定为IND \n• JEDEC标准的32引脚DIP封装;

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2048k非易失SRAM

DS1249 2048k非易失(NV) SRAM为2,097,152位、全静态非易失SRAM，按照8位、262,144字排列。每个NV SRAM均自带锂电池及控制电路，控制电路连续监视VCC是否超出容差范围，一旦超出容差范围，锂电池便自动切换至供电状态、写保护将无条件使能、防止数据被破坏。该器件没有写次数限制，可直接与微处理器接口、不需要额外的支持电路。 • 在没有外部电源的情况下最少可以保存数据10年\n• 掉电期间数据被自动保护\n• 没有写次数限制\n• 低功耗CMOS操作 \n• 70ns的读写存取时间 \n• 第一次上电前，锂电池与电路断开、维持保鲜状态\n• ±10% VCC工作范围(DS1249Y) \n• 可选择±5% VCC工作范围(DS1249AB)\n• 可选的-40°C至+85°C工业级温度范围，指定为IND\n• JEDEC标准的32引脚DIP封装;

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Package：32-DIP 模块（0.600"，15.24mm）；包装：管件 类别：集成电路（IC） 存储器 描述：IC NVSRAM 2MBIT PARALLEL 32EDIP

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Package：32-DIP 模块（0.600"，15.24mm）；包装：托盘 类别：集成电路（IC） 存储器 描述：IC NVSRAM 2MBIT PARALLEL 32EDIP

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Package：32-DIP 模块（0.600"，15.24mm）；包装：卷带（TR） 类别：集成电路（IC） 存储器 描述：IC NVSRAM 2MBIT PARALLEL 32EDIP

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