1024k Nonvolatile SRAM

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1024k非易失SRAM

DS1245 1024k非易失(NV) SRAM为1,048,576位、完全静态的非易失SRAM，按照8位、131,072字排列。每个NV SRAM均自带锂电池及控制电路，控制电路连续监视VCC是否超出容差范围，一旦超出容差范围，锂电池便自动切换至供电状态、写保护将无条件使能、防止数据被破坏。DIP封装的DS1245器件可以用来替代现有的128k x 8静态RAM，符合通用的单字节宽、32引脚DIP标准。PowerCap模块封装的DS1245器件可以直接表面贴安装、通常与DS9034PC PowerCap配合构成一个完整的非易失SRAM模块。该器件没有写次数限制，可直接与微处理器接口、不需要额 • 在没有外部电源的情况下最少可以保存数据10年\n• 掉电期间数据被自动保护\n• 替代128k x 8易失静态RAM、EEPROM或闪存\n• 没有写次数限制\n• 低功耗CMOS\n• 70ns的读写存取时间 \n• 第一次上电前，锂电池与电路断开、维持保鲜状态\n• ±10% VCC工作范围(DS1245Y) \n• 可选择±5% VCC工作范围(DS1245AB)\n• 可选的工业级温度范围为-40°C至+85°C，指定为IND\n• JEDEC标准的32引脚DIP封装 \n• PowerCap模块(PCM)封装\n• 表面贴装模块\n• 可更换的即时安装PowerC;

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Package：32-DIP 模块（0.600"，15.24mm）；包装：托盘 类别：集成电路（IC） 存储器 描述：IC NVSRAM 1MBIT PARALLEL 32EDIP

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