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DS1245YL	文件：181.51 Kbytes Page：9 Pages	1024K Nonvolatile SRAM ComingSoon. Ifyouhavesomeinformationonrelatedparts,pleaseshareusefulinformationbyaddinglinksbelow.	DallasDallas Semiconductor 亚德诺亚德诺半导体	Dallas
DS1245YL	文件：322.18 Kbytes Page：9 Pages	1024K Nonvolatile SRAM	MaximMaxim Integrated Products 美信美信半导体	Maxim
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DS1245YL-100-IND	文件：181.51 Kbytes Page：9 Pages	1024K Nonvolatile SRAM ComingSoon. Ifyouhavesomeinformationonrelatedparts,pleaseshareusefulinformationbyaddinglinksbelow.	DallasDallas Semiconductor 亚德诺亚德诺半导体	Dallas
DS1245YL-70	文件：181.51 Kbytes Page：9 Pages	1024K Nonvolatile SRAM ComingSoon. Ifyouhavesomeinformationonrelatedparts,pleaseshareusefulinformationbyaddinglinksbelow.	DallasDallas Semiconductor 亚德诺亚德诺半导体	Dallas
DS1245YL-70-IND	文件：181.51 Kbytes Page：9 Pages	1024K Nonvolatile SRAM ComingSoon. Ifyouhavesomeinformationonrelatedparts,pleaseshareusefulinformationbyaddinglinksbelow.	DallasDallas Semiconductor 亚德诺亚德诺半导体	Dallas
DS1245YL-100	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：34-LPM；包装：管件类别：集成电路（IC）存储器描述：IC NVSRAM 1MBIT PARALLEL 34LPM	ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司	AD
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详细参数

型号：
DS1245YL
功能描述：
IC NVSRAM 1MBIT 100NS 34LPM
RoHS：
否
类别：
集成电路(IC) >> 存储器
系列：
-
标准包装：
150
系列：
- 格式 -
存储器：
EEPROMs - 串行
存储器类型：
EEPROM
存储容量：
4K(2 x 256 x 8)
速度：
400kHz
接口：
I²C，2 线串口
电源电压：
2.5 V ~ 5.5 V
工作温度：
-40°C ~ 85°C
封装/外壳：
8-VFDFN 裸露焊盘
供应商设备封装：
8-DFN（2x3）
包装：
管件
产品目录页面：
1445(CN2011-ZH PDF)

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