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DS1250BL-70-IND	文件：181.99 Kbytes Page：9 Pages	4096K Nonvolatile SRAM DESCRIPTION TheDS12504096KNonvolatileSRAMsare4,194,304–bit,fullystatic,nonvolatileSRAMsorganizedas524,288wordsby8bits.EachNVSRAMhasaself–containedlithiumenergysourceandcontrolcircuitrywhichconstantlymonitorsVCCforanout–of–tolerancecondition.Whensuchacondit	DallasDallas Semiconductor 亚德诺亚德诺半导体	Dallas
DS1250BL-70-IND	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：34-LPM；包装：管件类别：集成电路（IC）存储器描述：IC NVSRAM 4MBIT PARALLEL 34LPM	ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司	AD
DS1250BL-70	文件：181.99 Kbytes Page：9 Pages	4096KNonvolatileSRAM DESCRIPTION TheDS12504096KNonvolatileSRAMsare4,194,304–bit,fullystatic,nonvolatileSRAMsorganizedas524,288wordsby8bits.EachNVSRAMhasaself–containedlithiumenergysourceandcontrolcircuitrywhichconstantlymonitorsVCCforanout–of–tolerancecondition.Whensuchacondit	DallasDallas Semiconductor 亚德诺亚德诺半导体	Dallas

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4096K Nonvolatile SRAM

DESCRIPTION TheDS12504096KNonvolatileSRAMsare4,194,304–bit,fullystatic,nonvolatileSRAMsorganizedas524,288wordsby8bits.EachNVSRAMhasaself–containedlithiumenergysourceandcontrolcircuitrywhichconstantlymonitorsVCCforanout–of–tolerancecondition.Whensuchacondit

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亚德诺亚德诺半导体技术有限公司

DS1250BL-70

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4096KNonvolatileSRAM

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Dallas

产品属性

产品编号：
DS1250BL-70-IND
制造商：
Analog Devices Inc./Maxim Integrated
类别：
集成电路（IC） > 存储器
包装：
管件
存储器类型：
非易失
存储器格式：
NVSRAM
技术：
NVSRAM（非易失性 SRAM）
存储容量：
4Mb（512K x 8）
存储器接口：
并联
写周期时间 - 字，页：
70ns
电压 - 供电：
4.75V ~ 5.25V
工作温度：
-40°C ~ 85°C（TA）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
34-LPM
供应商器件封装：
34-LPM
描述：
IC NVSRAM 4MBIT PARALLEL 34LPM

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