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DS1250Y-100IND	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：32-DIP 模块（0.600"，15.24mm）；包装：管件类别：集成电路（IC）存储器描述：IC NVSRAM 4MBIT PARALLEL 32EDIP	ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司	AD
DS1250Y-100IND+	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：32-DIP 模块（0.600"，15.24mm）；包装：卷带（TR）类别：集成电路（IC）存储器描述：IC NVSRAM 4M PARALLEL 32EDIP	ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司	AD
DS1250Y-100	文件：217.62 Kbytes Page：11 Pages	4096kNonvolatileSRAM DESCRIPTION TheDS12504096kNonvolatileSRAMsare4,194,304-bit,fullystatic,nonvolatileSRAMsorganizedas524,288wordsby8bits.EachcompleteNVSRAMhasaself-containedlithiumenergysourceandcontrolcircuitrywhichconstantlymonitorsVCCforanout-of-tolerancecondition.Whensuch	DallasDallas Semiconductor 亚德诺亚德诺半导体	Dallas

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4096kNonvolatileSRAM

DESCRIPTION TheDS12504096kNonvolatileSRAMsare4,194,304-bit,fullystatic,nonvolatileSRAMsorganizedas524,288wordsby8bits.EachcompleteNVSRAMhasaself-containedlithiumenergysourceandcontrolcircuitrywhichconstantlymonitorsVCCforanout-of-tolerancecondition.Whensuch

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产品属性

产品编号：
DS1250Y-100IND
制造商：
Analog Devices Inc./Maxim Integrated
类别：
集成电路（IC） > 存储器
包装：
管件
存储器类型：
非易失
存储器格式：
NVSRAM
技术：
NVSRAM（非易失性 SRAM）
存储容量：
4Mb（512K x 8）
存储器接口：
并联
写周期时间 - 字，页：
100ns
电压 - 供电：
4.5V ~ 5.5V
工作温度：
-40°C ~ 85°C（TA）
安装类型：
通孔
封装/外壳：
32-DIP 模块（0.600"，15.24mm）
供应商器件封装：
32-EDIP
描述：
IC NVSRAM 4MBIT PARALLEL 32EDIP

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