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DS1250Y-70

4096k Nonvolatile SRAM

DESCRIPTION The DS1250 4096k Nonvolatile SRAMs are 4,194,304-bit, fully static, nonvolatile SRAMs organized as 524,288 words by 8 bits. Each complete NV SRAM has a self-contained lithium energy source and control circuitry which constantly monitors VCC for an out-of-tolerance condition. When such

文件:217.62 Kbytes 页数:11 Pages

DALLAS

DS1250Y-70

Package:32-DIP 模块(0.600",15.24mm);包装:管件 类别:集成电路(IC) 存储器 描述:IC NVSRAM 4MBIT PARALLEL 32EDIP

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亚德诺

DS1250Y-70+

4096k Nonvolatile SRAM

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DS1250Y-70IND

4096k Nonvolatile SRAM

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4096k Nonvolatile SRAM

文件:242.48 Kbytes 页数:10 Pages

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DS1250Y-70IND

Package:32-DIP 模块(0.600",15.24mm);包装:管件 类别:集成电路(IC) 存储器 描述:IC NVSRAM 4MBIT PARALLEL 32EDIP

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亚德诺

DS1250Y-70IND+

Package:32-DIP 模块(0.600",15.24mm);包装:托盘 类别:集成电路(IC) 存储器 描述:IC NVSRAM 4MBIT PARALLEL 32EDIP

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亚德诺

产品属性

  • 产品编号:

    DS1250Y-70

  • 制造商:

    Analog Devices Inc./Maxim Integrated

  • 类别:

    集成电路(IC) > 存储器

  • 包装:

    管件

  • 存储器类型:

    非易失

  • 存储器格式:

    NVSRAM

  • 技术:

    NVSRAM(非易失性 SRAM)

  • 存储容量:

    4Mb(512K x 8)

  • 存储器接口:

    并联

  • 写周期时间 - 字,页:

    70ns

  • 电压 - 供电:

    4.5V ~ 5.5V

  • 工作温度:

    0°C ~ 70°C(TA)

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    32-DIP 模块(0.600",15.24mm)

  • 供应商器件封装:

    32-EDIP

  • 描述:

    IC NVSRAM 4MBIT PARALLEL 32EDIP

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
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更多DS1250Y-70供应商 更新时间2026-2-2 16:21:00