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DS1249W-100	文件：157.47 Kbytes Page：8 Pages	3.3V 2048kb Nonvolatile SRAM DESCRIPTION The DS1249W 2048kb nonvolatile (NV) SRAMs are 2,097,152-bit, fully static, NV SRAMs organized as 262,144 words by 8 bits. Each NV SRAM has a self-contained lithium energy source and control circuitry that constantly monitors VCC for an out-of-tolerance condition. When such a condition 文件：157.47 Kbytes 页数：8 Pages	Dallas	Dallas
DS1249W-100	文件：211.29 Kbytes Page：8 Pages	3.3V 2048kb Nonvolatile SRAM 文件：211.29 Kbytes 页数：8 Pages	Dallas	Dallas
DS1249W-100	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：32-DIP 模块（0.600"，15.24mm）；包装：卷带（TR）类别：集成电路（IC）存储器描述：IC NVSRAM 2MBIT PARALLEL 32EDIP	AD 亚德诺	AD
DS1249W-100	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：32-DIP 模块（0.600"，15.24mm）；包装：管件类别：集成电路（IC）存储器描述：IC NVSRAM 2MBIT PARALLEL 32EDIP	AD 亚德诺	AD
DS1249W-100-IND	文件：157.47 Kbytes Page：8 Pages	3.3V 2048kb Nonvolatile SRAM DESCRIPTION The DS1249W 2048kb nonvolatile (NV) SRAMs are 2,097,152-bit, fully static, NV SRAMs organized as 262,144 words by 8 bits. Each NV SRAM has a self-contained lithium energy source and control circuitry that constantly monitors VCC for an out-of-tolerance condition. When such a condition 文件：157.47 Kbytes 页数：8 Pages	Dallas	Dallas
DS1249W-100IND	文件：211.29 Kbytes Page：8 Pages	3.3V 2048kb Nonvolatile SRAM 文件：211.29 Kbytes 页数：8 Pages	Dallas	Dallas
DS1249W-100IND	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：32-DIP 模块（0.600"，15.24mm）；包装：卷带（TR）类别：集成电路（IC）存储器描述：IC NVSRAM 2MBIT PARALLEL 32EDIP	AD 亚德诺	AD

产品属性

产品编号：
DS1249W-100
制造商：
Analog Devices Inc./Maxim Integrated
类别：
集成电路（IC） > 存储器
包装：
卷带（TR）
存储器类型：
非易失
存储器格式：
NVSRAM
技术：
NVSRAM（非易失性 SRAM）
存储容量：
2Mb（256K x 8）
存储器接口：
并联
写周期时间 - 字，页：
100ns
电压 - 供电：
3V ~ 3.6V
工作温度：
0°C ~ 70°C（TA）
安装类型：
通孔
封装/外壳：
32-DIP 模块（0.600"，15.24mm）
供应商器件封装：
32-EDIP
描述：
IC NVSRAM 2MBIT PARALLEL 32EDIP

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