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DS1220AD-85IND	文件：147.62 Kbytes Page：10 Pages	64k Nonvolatile SRAM 文件：147.62 Kbytes 页数：10 Pages	DALLAS	DALLAS
DS1220Y	文件：258.54 Kbytes Page：7 Pages	16K Nonvolatile SRAM 文件：258.54 Kbytes 页数：7 Pages	ARTSCHIP	ARTSCHIP
DS1220Y	文件：207.33 Kbytes Page：9 Pages	16k Nonvolatile SRAM 文件：207.33 Kbytes 页数：9 Pages	MAXIM 美信	MAXIM
DS1220Y-100+	文件：207.33 Kbytes Page：9 Pages	16k Nonvolatile SRAM 文件：207.33 Kbytes 页数：9 Pages	MAXIM 美信	MAXIM
DS1220Y-100IND+	文件：207.33 Kbytes Page：9 Pages	16k Nonvolatile SRAM 文件：207.33 Kbytes 页数：9 Pages	MAXIM 美信	MAXIM
DS1220AB	文件：300 bytes Page：1 Pages	16k非易失SRAM DS1220AB及DS1220AD 16k非易失(NV) SRAM为16,384位、全静态NV SRAM，按照8位、2048字排列。每个NV SRAM均自带锂电池及控制电路，控制电路连续监视VCC是否超出容差范围，一旦超出容差范围，锂电池便自动切换至供电状态、写保护将无条件使能、防止数据被破坏。 NV SRAM可以用来直接替代现有的2k x 8 SRAM，符合通用的单字节宽、24引脚DIP标准。器件还与2716 EPROM及2816 EEPROM的引脚排列匹配，可直接替换并增强其性能。该器件没有写次数限制，可直接与微处理器接口、不需要额外的支持电路。 • 在没有外部电源的情况下最少可以保存数据10年\n• 掉电期间数据被自动保护\n• 直接替代2k x 8易失静态RAM或EEPROM \n• 没有写次数限制\n• 低功耗CMOS操作 \n• JEDEC标准的24引脚DIP封装 \n• 100ns的读写存取时间 \n• 第一次上电前，锂电池与电路断开、维持保鲜状态\n• ±10% VCC工作范围(DS1220AD) \n• 可选择±5% VCC工作范围(DS1220AB) \n• 可选的-40°C至+85°C工业级温度范围，指定为IND;	ADI 亚德诺	ADI
DS1220AD	文件：300 bytes Page：1 Pages	16k非易失SRAM DS1220AB及DS1220AD 16k非易失(NV) SRAM为16,384位、全静态NV SRAM，按照8位、2048字排列。每个NV SRAM均自带锂电池及控制电路，控制电路连续监视VCC是否超出容差范围，一旦超出容差范围，锂电池便自动切换至供电状态、写保护将无条件使能、防止数据被破坏。 NV SRAM可以用来直接替代现有的2k x 8 SRAM，符合通用的单字节宽、24引脚DIP标准。器件还与2716 EPROM及2816 EEPROM的引脚排列匹配，可直接替换并增强其性能。该器件没有写次数限制，可直接与微处理器接口、不需要额外的支持电路。 • 在没有外部电源的情况下最少可以保存数据10年\n• 掉电期间数据被自动保护\n• 直接替代2k x 8易失静态RAM或EEPROM \n• 没有写次数限制\n• 低功耗CMOS操作 \n• JEDEC标准的24引脚DIP封装 \n• 100ns的读写存取时间 \n• 第一次上电前，锂电池与电路断开、维持保鲜状态\n• ±10% VCC工作范围(DS1220AD) \n• 可选择±5% VCC工作范围(DS1220AB) \n• 可选的-40°C至+85°C工业级温度范围，指定为IND;	ADI 亚德诺	ADI
DS1220AB-100+	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：24-DIP 模块（0.600"，15.24mm）；包装：托盘类别：集成电路（IC）存储器描述：IC NVSRAM 16KBIT PARALLEL 24EDIP	AD 亚德诺	AD
DS1220AB-100IND	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：24-DIP 模块（0.600"，15.24mm）；包装：管件类别：集成电路（IC）存储器描述：IC NVSRAM 16KBIT PARALLEL 24EDIP	AD 亚德诺	AD
DS1220AB-100IND+	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：24-DIP 模块（0.600"，15.24mm）；包装：卷带（TR）类别：集成电路（IC）存储器描述：IC NVSRAM 16KBIT PARALLEL 24EDIP	AD 亚德诺	AD

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技术参数

产品系列：
DS
封装外形：
HC-49S
标称频率：
12.288000MHz
负载电容：
18pF
频率稳定度_@25℃：
-30~+30ppm
工作温度范围：
-20~+70℃
温频特性：
-30~+30ppm
尺寸/长x宽：
11.40 x 4.70mm
高度/厚度：
3.60mm
切型：
AT Cut
振动模式：
Fundamental
谐振电阻：
40Ω
静态电容：
5.0pF
存储温度范围：
-40~+85℃
输出波形：
Sine Wave
激励功率：
100μW
引脚数：
2Pins
绝缘电阻_ @ DC100V：
500 MΩ
年老化率_ppm/10Years：
-5.0~+5.0ppm/year
封装技术：
Resistance Weld
包装类型：
Bag Packing
载带标准：
N/Amm
载盘尺寸：
N/A
最小包装数：
200Pcs
安装方式：
Through Hole
主要材质：
Quartz Crystal
品牌国别：
China
原始制造商：
Failong Crystal Technology Co.
印字类型：
Laser
净重：
0.4g
美国海关关税编码：
8541600030
欧洲进口关税编码：
8541600000
别名：
--

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市一线半导体有限公司	DS1220		24+		5000		询价
芯有半导体（深圳）有限公司	DS1220	DS	05+	原厂原装	4285	只做全新原装真实现货供应	询价
深圳市赛尔通科技有限公司	DS1220	DS	23+		65480		询价
深圳市亿智腾科技有限公司	DS1220		24+	DIP	6430	原装现货/欢迎来电咨询	询价
深圳市恒达亿科技有限公司	DS1220	DS	25+	DIP	3200	全新原装、诚信经营、公司现货销售	询价
深圳市安富世纪电子有限公司	DS1220	DALLAS	23+	原厂正规渠道	5000	专注配单,只做原装进口现货	询价
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深圳市乐峰达科技有限公司	DS1220	TT/OPTEK	25+	NA	10000	全新原装正品、可开增票、可溯源、一站式配单	询价
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深圳市益百分电子有限公司	DS1220Y-200	DALLAS	DIP	95+	2	全新原装进口自己库存优势	询价

更多DS1220供应商更新时间2026-1-27 16:30:00

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