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DMTH6005LK3Q	文件：300 bytes Page：1 Pages	60V 175°C N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET; Rated to +175°C – Ideal for High Ambient Temperature Environments\n100% Unclamped Inductive Switching – Ensures More Reliable and Robust End Application\nLow RDS(ON) – Minimizes Power Losses\nLow QG – Minimizes Switching Losses; This MOSFET is designed to meet the stringent requirements of automotive applications. It is qualified to AECQ101 and supported by a PPAP.	DiodesDiodes Incorporated 美台半导体	Diodes
DMTH6005LK3Q	文件：400.74 Kbytes Page：7 Pages	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
DMTH6005LK3	文件：418.59 Kbytes Page：7 Pages	N-CHANNELENHANCEMENTMODEMOSFET	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
DMTH6005LK3Q-13	文件：0 bytes Page：0 Pages	Diodes Incorporated TO-252-3	Diodes Incorporated 相关企业：深圳市芯通智达科技有限公司	Diodes Incorporated
DMTH6005LK3Q-13	文件：0 bytes Page：0 Pages	DIODES/美台 TO252	DIODES/美台相关企业：深圳市恒佳微电子有限公司	DIODES/美台

技术参数

Automotive Compliant PPAP：
Yes
Polarity：
N
ESD Diodes：
No
VDS：
60 V
VGS：
20 ±V
IDS @ TA = +25°C：
N/A A
PD @ TA = +25°C：
2.1 W
RDS(ON) Max @ VGS (10V)：
5.6 mΩ
RDS(ON) Max @ VGS (4.5V)：
10 mΩ
RDS(ON) Max @ VGS (2.5V)：
N/A mΩ
RDS(ON) Max @ VGS (1.8V)：
N/A mΩ
VGS (th) Max：
3 V
QG Typ @ VGS = 4.5V (nC)：
23.1 nC
QG Typ @ VGS = 10V (nC)：
47.1 nC
Packages：
TO252 (DPAK)

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多DMTH6005LK3Q供应商更新时间2025-7-30 16:20:00

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