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DMTH4007LPSQ	文件：515.039 Kbytes Page：7 Pages	40V 175C N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET 文件：515.039 Kbytes 页数：7 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMTH4007LPSQ-13	文件：515.039 Kbytes Page：7 Pages	40V 175C N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET 文件：515.039 Kbytes 页数：7 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMTH4007LPSQ	文件：300 bytes Page：1 Pages	40V 175°C N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET This MOSFET is designed to meet the stringent requirements of Automotive applications. It is qualified to AEC-Q101 and supported by a PPAP. Rated to +175°C – Ideal for High Ambient Temperature Environments\nThermally Efficient Package – Cooler Running Applications\nHigh Conversion Efficiency\nLow RDS(ON) – Minimizes On-State Losses\nLow Input Capacitance\nFast Switching Speed\n<1.1mm Package Profile – Ideal for Thin Applications;	Diodes 美台半导体	Diodes
DMTH4007SPD	文件：415.37 Kbytes Page：7 Pages	40V 175C DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET 文件：415.37 Kbytes 页数：7 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMTH4007SPDQ	文件：493.87 Kbytes Page：8 Pages	40V 175C DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET 文件：493.87 Kbytes 页数：8 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMTH4007SPS	文件：391.08 Kbytes Page：8 Pages	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET 文件：391.08 Kbytes 页数：8 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES

技术参数

Automotive Compliant PPAP：
Yes
Polarity：
N
ESD Diodes：
No
VDS：
40 V
VGS：
20 ±V
IDS @ TA = +25°C：
N/A A
PD @ TA = +25°C：
N/A W
RDS(ON) Max @ VGS (10V)：
6.5 mΩ
RDS(ON) Max @ VGS (4.5V)：
9.8 mΩ
RDS(ON) Max @ VGS (2.5V)：
N/A mΩ
RDS(ON) Max @ VGS (1.8V)：
N/A mΩ
VGS (th) Max：
3 V
QG Typ @ VGS = 4.5V (nC)：
12.4 nC
QG Typ @ VGS = 10V (nC)：
29.1 nC
Packages：
PowerDI5060-8

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