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DMTH4007SPDQ	文件：493.87 Kbytes Page：8 Pages	40V 175C DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET 文件：493.87 Kbytes 页数：8 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMTH4007SPDQ-13	文件：493.87 Kbytes Page：8 Pages	40V 175C DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET 文件：493.87 Kbytes 页数：8 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMTH4007SPDQ	文件：300 bytes Page：1 Pages	40V 175°C N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET This MOSFET is designed to meet the stringent requirements of Automotive applications. It is qualified to AEC-Q101 and supported by a PPAP. Rated to +175°C – Ideal for High Ambient Temperature Environments \nHigh Conversion Efficiency\nLow RDS(ON) – Minimizes On-State Losses\nLow Input Capacitance\nFast Switching Speed;	Diodes 美台半导体	Diodes
DMTH4007SPS	文件：391.08 Kbytes Page：8 Pages	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET 文件：391.08 Kbytes 页数：8 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMTH4007SPS	文件：396.7 Kbytes Page：8 Pages	40V 175C N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Description This new generation N-Channel Enhancement Mode MOSFET is designed to minimize RDS(ON), yet maintain superior switching performance. This device is ideal for use in notebook battery power management and loadswitch. Features • Rated to +175°C – Ideal for High Ambient Temperature E 文件：396.7 Kbytes 页数：8 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMTH4007SPSQ	文件：395.51 Kbytes Page：8 Pages	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Description and Applications This MOSFET is designed to meet the stringent requirements of Automotive applications. It is qualified to AEC-Q101, supported by a PPAP and is ideal for use in: • Power Management • DC-DC Converters • Motor Control Features • Rated to +175°C – Ideal for High Ambi 文件：395.51 Kbytes 页数：8 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES

技术参数

Automotive Compliant PPAP：
Yes
Polarity：
N+N
ESD Diodes：
No
VDS：
40 V
VGS：
20 ±V
IDS @ TA = +25°C：
N/A A
PD @ TA = +25°C：
N/A W
RDS(ON) Max @ VGS (10V)：
8.6 mΩ
RDS(ON) Max @ VGS (4.5V)：
N/A mΩ
RDS(ON) Max @ VGS (2.5V)：
N/A mΩ
RDS(ON) Max @ VGS (1.8V)：
N/A mΩ
VGS (th) Max：
4 V
QG Typ @ VGS = 4.5V (nC)：
N/A nC
QG Typ @ VGS = 10V (nC)：
41.9 nC
Packages：
PowerDI5060-8 (Type C)

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