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DMT8012LSS

80V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET

文件:538.79 Kbytes 页数:7 Pages

DIODES

美台半导体

DMT8012LSS-13

80V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET

文件:538.79 Kbytes 页数:7 Pages

DIODES

美台半导体

DMT8012LSS

80V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET

This new generation N-Channel Enhancement Mode MOSFET is designed to minimize RDS(ON), yet maintain superior switching performance. 100% Unclamped Inductive Switch (UIS) Test in Production\nHigh Conversion Efficiency\nLow RDS(ON) – Minimizes On-State Losses\nLow Input Capacitance\nFast Switching Speed;

Diodes

美台半导体

DMTH8012LPS

80V 175C N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET

文件:539.26 Kbytes 页数:7 Pages

DIODES

美台半导体

DMTH8012LPSQ

N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET

文件:447.49 Kbytes 页数:7 Pages

DIODES

美台半导体

DMTH8012LPSW

N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET

文件:525.34 Kbytes 页数:7 Pages

DIODES

美台半导体

技术参数

  • Automotive Compliant PPAP:

    No

  • Polarity:

    N

  • ESD Diodes:

    No

  • VDS:

    80 V

  • VGS:

    20 ±V

  • IDS @ TA = +25°C:

    9.7 A

  • PD @ TA = +25°C:

    2 W

  • RDS(ON) Max @ VGS (10V):

    16.5 mΩ

  • RDS(ON) Max @ VGS (4.5V):

    20 mΩ

  • RDS(ON) Max @ VGS (2.5V):

    N/A mΩ

  • RDS(ON) Max @ VGS (1.8V):

    N/A mΩ

  • VGS (th) Max:

    3 V

  • QG Typ @ VGS = 4.5V (nC):

    15 nC

  • QG Typ @ VGS = 10V (nC):

    34 nC

  • Packages:

    SO-8

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更多DMT8012LSS供应商 更新时间2026-3-16 10:45:00